[实用新型]一种碳化硅外延反应室侧壁部件

说明书

本实用新型涉及一种碳化硅外延反应室侧壁部件，包括分别安装于碳化硅外延反应室相对两侧壁上且镜像设置的两侧壁挡板，其特征在于：所述侧壁挡板由至少两拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有与相邻拼接件进行拼接的拼接部，且每一侧壁挡板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且连续的内壁面，已解决现有侧壁部件更换成本高的问题。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅外延反应室领域，具体是涉及一种碳化硅外延反应室侧壁部件。

背景技术

碳化硅半导体具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延晶片。

碳化硅外延生长已经实现了商业化，通常采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长碳化硅外延晶片。目前商业化的外延炉，大部分为水平型反应室外延炉。在使用LPE PE106外延炉进行碳化硅外延生长过程中，反应室内左右两侧的侧壁部件靠近源气进气口的一端表面容易附着上一些反应产物，随着生长数量的增加，侧壁部件前端厚度越来越厚，从而影响碳化硅外延生长的质量，定期更换侧壁部件为现阶段的解决方式。而由于现有的侧壁部件为整体式结构，在生产过程中，侧壁部件前端的反应产物堆积达到一定厚度时，后端几乎没有附着反应产物，但需要整体进行更换，这不利于成本的控制。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种碳化硅外延反应室侧壁部件，以解决现有侧壁部件更换成本高的问题。

具体方案如下：

一种碳化硅外延反应室侧壁部件，包括分别安装于碳化硅外延反应室相对两侧壁上且镜像设置的两侧壁挡板，所述侧壁挡板由至少两拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有与相邻拼接件进行拼接的拼接部，且每一侧壁挡板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且连续的内壁面。

进一步的，所述侧壁挡板由两个拼接件拼接而成，靠近源气进气口一侧的拼接件定义为前拼接件，另一拼接件定义为后拼接件，该前拼接件的后端设置有一前拼接部，后拼接件的前端设置有与前拼接件的前接部相匹配设置的后拼接部，前拼接件的前拼接部和后拼接件的后拼接部在前后方向上互补设置。

进一步的，所述侧壁挡板由三个拼接件拼接而成，靠近源气进气口一侧的拼接件定义为前拼接件，远离源气进气口一侧的拼接件定义为后拼接件，位于中间的拼接件定义为中拼接件，其中前拼接件的后端设置有一前拼接部，后拼接件的前端设置有一后拼接部，中拼接件的前端设置有前拼接件的前拼接部相匹配设置的第一拼接部，中拼接件的后端设置有后拼接件的后拼接部相匹配设置的第二拼接部，前拼接件的前拼接部和中拼接件的第一拼接部在前后方向上互补设置、后拼接件的后拼接部和中拼接件的第二拼接部在前后方向上互补设置。

进一步的，相邻两拼接件之间拼接部为互补的台阶结构，且靠近前端拼接件的拼接部内壁面填充靠近后端拼接件的缺口处。

进一步的，所述侧壁挡板由2～4个拼接件拼接而成。

进一步的，所述侧壁挡板的内壁面沿前后方向依序分为前内壁面和后内壁面，其中两侧壁挡板的前内壁面之间的间距从前往后依序减小设置，两侧壁挡板的后内壁面之间的间距从前往后等距设置。

进一步的，所述侧壁挡板前内壁面的上下两端部与所述侧壁挡板后内壁面的上下两端部等厚设置。

本实用新型提供的碳化硅外延反应室侧壁部件与现有技术相比较具有以下优点：本实用新型提供的碳化硅外延反应室侧壁部件根据侧壁部件实际容易附着碳化硅外延反应产物的位置、区域大小将现有整体的侧壁部件设计为两个甚至多个部件，在维护时仅需将反应产物堆积达到一定厚度的拼接件进行更换，而保留无反应产物堆积或者反应产物堆积少的其它拼接件，大大降低了更换配件的成本。

附图说明