[实用新型]一种电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路

权利要求书

1.一种电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，包括隔离电路、MOSFET驱动控制电路及可变电流开关；所述MOSFET驱动控制电路分别与隔离电路、可变电流开关电连接；

所述隔离电路用于，将预充电压信号进行隔离，将隔离后的预充电压信号发送至所述MOSFET驱动控制电路；所述MOSFET驱动控制电路，用于接收经过可变电流开关的高压电池正极电压及隔离后的预充电压信号，根据所述隔离后的预充电压信号，驱动MOSFET进行上电预充。

2.根据权利要求1所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，所述隔离电路包括二极管D1、TVS保护二极管D2，电容C2-C6、电感L1及电源模块U1；所述TVS保护二极管D2两端接预充电压信号，所述TVS保护二极管D2的负极接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极接电感L1的一端及电容C5的一端，所述电感L1的另一端接电容C4的一端，所述电容C5的另一端接TVS保护二极管D2的正极及电容C4的另一端，所述电容C4与所述电容C3并联，所述电容C3的两端分别接电源模块U1的Vin引脚及GND引脚，所述电容C2与电容C6并联，所述电容C6的两端分别与电源模块U1的+Vout、0V引脚连接。

3.根据权利要求1所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，所述MOSFET驱动控制电路包括电阻R2-R5、MOS管Q1、二极管D3、电容C1、C7、C8；所述二极管D3与电阻R2并联，所述电阻R2一端接MOS管的栅极，所述电容C1一端接MOS管Q1源极，所述电容C1的另一端接电容C7一端，所述电容C7另一端接MOS管Q1的漏极，所述电阻R4、电阻R5的一端接电容C7的另一端，所述电阻R4、电阻R5的另一端通过电容C8连接，所述MOS管Q1的源极接高压电池正极。

4.根据权利要求3所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，还包括预充电阻温度取样电路，所述预充电阻温度取样电路包括热敏电阻R16、电阻R11、电阻R13及电容C14；所述热敏电阻R16的一端接电容C14的一端，所述电阻R16的另一端接电阻R11的一端及电阻R13的一端，所述电阻R11的另一端接直流电压，所述电阻R13的另一端接电容C14的另一端。

5.根据权利要求4所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，还包括分流器输出信号放大电路，所述分流器输出信号放大电路包括运放U2、电阻R6、R14及R21；所述MOS管Q1的漏极还通过电阻R5、R6接运放U2的同相输入端，所述运放U2的反相输入端通过电阻R14，所述运放U2的反向输入端与输出端通过电阻R21连接。

6.根据权利要求5所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，还包括过流保护电路，所述过流保护电路包括比较器U4A、U4B、U5A及二极管D4；所述比较器U4A的正相输入端通过电阻R25、R7接运放U2的输出端，所述比较器U4A的反相输入端接参考电压，所述U4A的输出端接比较器U4B的正相输入端，所述比较器U4B的反向输入端接参考电压，所述比较器U4B的输出端通过二极管D4接比较器U5A的负相输入端，所述比较器U5A的正相输入端接参考电压。

7.根据权利要求6所述的电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其特征在于，还包括过温保护电路，所述过温保护电路包括比较器U5B及二极管D5；所述比较器U5B正相输入端接参考电压，比较器U5B的负相输入端接电阻R13的另一端，所述比较器U5B输出端通过二极管D5接比较器U5A的反向输入端。