[实用新型]重掺砷低电阻掺杂器具

说明书

一种重掺砷低电阻掺杂器具，包括石英盖、石英罩，石英罩的内部固定设置有混合引流件，混合引流件外壁的中间位置固定设有支撑连接板，支撑连接板与石英罩的内壁固定连接，使支撑连接板、石英罩、混合引流件之间形成一个用于盛放固体砷的盛放腔，石英罩的顶部设置有定位凹台，石英盖设在定位凹台内，石英盖的下端延伸至混合引流件内；通过将固体砷放入到盛放腔内，利用氩气将挥发的砷从盛放腔引入到混合引流件内，使挥发的砷充分混合均匀，并利用混合引流件将氩气及挥发的砷加速后向下流出，使挥发的砷与硅溶液接触，并使挥发的砷充分溶解到硅溶液内，使硅溶液内的砷浓度增加，从而减少的挥发损失量，从而使拉制的单晶晶棒达到低电阻的目的。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅设备技术领域，尤其涉及一种重掺砷低电阻掺杂器具。

背景技术

通过直拉法生长单晶硅时，需要根据单晶硅的规格、目的，在晶体生长时控制其导电的类型及电阻率。其中，导电类型是由掺杂的元素外层电子的数量决定的，而电阻率(比电阻)的控制是通过控制在单晶硅生长时硅熔体中所含有掺杂元素的浓度来实现的。

目前以砷作为掺杂剂时，通过将固体砷挂至硅液面上方自动挥发，使砷溶于硅液当中，但是这种方式砷的挥发流失较多，无法满足低电阻和极低电阻的掺杂要求，使炉内杂质氧化物增加，导致低电阻产品合格率低。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种重掺砷低电阻掺杂器具。

一种重掺砷低电阻掺杂器具，包括石英盖、石英罩，所述石英罩的内部固定设置有混合引流件，所述混合引流件外壁的中间位置固定设置有支撑连接板，支撑连接板与石英罩的内壁固定连接，使支撑连接板、石英罩、混合引流件之间形成一个用于盛放固体砷的盛放腔，所述石英罩的顶部设置有定位凹台，所述石英盖设置在定位凹台内，石英盖的下端延伸至混合引流件内，且石英盖的下端与混合引流件的上端之间留有间隙，以便于挥发的砷能够沿着石英盖的外壁进入到混合引流件内部。

优选的，所述石英盖包括氩气分流板、气流加速腔，所述氩气分流板安装在定位凹台内，所述气流加速腔固定设置在氩气分流板的下部，且气流加速腔的下端延伸至混合引流件内。

优选的，所述氩气分流板上开设有进气孔，进气孔与气流加速腔的内部连通。

优选的，所述气流加速腔呈圆锥状，气流加速腔的上端开口大于下端开口。

优选的，所述混合引流件包括上部混合腔、下部引导管，所述混合腔设置在石英罩内部的中间位置，且混合腔的外壁与支撑连接板固定连接，所述下部引导管固定设置在混合腔的下端，且下部引导管的上端与混合腔的内部连通。

优选的，所述混合腔的上端开口大于气流加速腔下端开口，使混合腔的上端与气流加速腔下端之间留有间隙。

优选的，所述下部引导管的下端向下延伸至石英罩的外部。

优选的，所述石英罩的顶部固定设置有吊环。

本实用新型采用上述技术方案，其有益效果在于：该实用新型包括石英盖、石英罩，石英罩的内部固定设置有混合引流件，混合引流件外壁的中间位置固定设置有支撑连接板，支撑连接板与石英罩的内壁固定连接，使支撑连接板、石英罩、混合引流件之间形成一个用于盛放固体砷的盛放腔，石英罩的顶部设置有定位凹台，石英盖设置在定位凹台内，石英盖的下端延伸至混合引流件内，且石英盖的下端与混合引流件的上端之间留有间隙，以便于挥发的砷能够沿着石英盖的外壁进入到混合引流件内部；本实用新型通过将固体砷放入到盛放腔内，通过将氩气沿石英盖通入到石英罩内，利用氩气将挥发的砷从盛放腔引入到混合引流件内，使挥发的砷充分混合均匀，并利用混合引流件将氩气及挥发的砷加速后向下流出，使挥发的砷与硅溶液接触，并使挥发的砷充分溶解到硅溶液内，使硅溶液内的砷浓度增加，从而减少的挥发损失量，从而使拉制的单晶晶棒达到低电阻的目的。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。