[实用新型]低嵌位电压的单向TVS芯片结构

权利要求书

1.一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，包括：

P型衬底；

N型扩散区，设置在所述P型衬底一端，所述N型扩散区外侧被P型衬底包裹，N型扩散区一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中；

N+扩散区，多个所述N+扩散区设置在所述P型衬底远离所述N型扩散区一端，所述N+扩散区外侧被P型衬底包裹，N+扩散区一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中；

P+扩散区，多个所述P+扩散区设置在所述N型扩散区上，所述P+扩散区外侧被N型扩散区包裹，P+扩散区一端露出N型扩散区，另一端沉入N型扩散区；

表面结构，设置在所述N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；

第一金属电极，设置在所述N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。

2.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述表面结构包括：

钝化层，呈环状设置在所述N型扩散区上，用于保护N型扩散区与P型衬底形成的PN结，所述钝化层接触N型扩散区和P型衬底，且覆盖N型扩散区和P型衬底在端面的接触处，钝化层与P+扩散区之间存在间隙；

第二金属电极，覆盖在所述钝化层表面，覆盖在所述N型扩散区和P+扩散区表面，包括接电极和连接部，所述连接部凸出所述接电极覆盖在钝化层内侧，连接部接触所述N型扩散区和P+扩散区，所述第二金属电极与P型衬底之间通过钝化层隔离。

3.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，多个所述P+扩散区间隔均匀，且在所述N型扩散区上排列呈网格状。

4.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，多个所述N+扩散区间隔均匀，且在所述P型衬底上排列呈网格状。

5.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述N+扩散区比所述P+扩散区的数量多。

6.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述P型衬底和所述N+扩散区接触处形成第一PN结，P型衬底和所述N型扩散区接触处形成第二PN结，N型扩散区和所述P+扩散区接触处形成第三PN结。

7.根据权利要求6所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述第一PN结和第二PN结之间有间隙，第二PN结和所述第三PN结之间有间隙。

8.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述第一金属电极覆盖在所述N+扩散区和P型衬底表面。

9.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述P+扩散区的厚度小于所述N型扩散区的厚度，P+扩散区露出N型扩散区的一端与N型扩散区表面平齐，P+扩散区沉入N型扩散区一端与N型扩散区沉入所述P型衬底一端存在间隙。

10.根据权利要求1所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其特征在于，所述P型衬底为块状，上下对称，P型衬底一端与N型扩散区、P+扩散区平齐，另一端与N+扩散区平齐。