[实用新型]低嵌位电压的单向TVS芯片结构

说明书

本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括P型衬底、N型扩散区、N+扩散区、P+扩散区、表面结构和第一金属电极，N型扩散区设置在P型衬底一端，多个N+扩散区设置在P型衬底远离N型扩散区一端，多个P+扩散区设置在N型扩散区上，表面结构设置在N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；第一金属电极设置在N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。本实用新型的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，整体结构简单，体积小，占用线路板空间小，可有效保护后端损坏电压不高的线路。

技术领域

本实用新型涉及TVS芯片结构领域，特别涉及一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构。

背景技术

TVS(Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器)管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。TVS管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、体积小、易于安装等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。现有的TVS芯片结构在应对工作线路的工作电压和线路上的IC的损坏电压比较接近的线路时的保护能力较差，故需要提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构来解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，以解决现有技术中的TVS芯片结构应对工作线路的工作电压和线路上的IC的损坏电压比较接近的线路时的保护能力较差，以及各个部件的分布不够合理的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括：

P型衬底；

N型扩散区，设置在所述P型衬底一端，所述N型扩散区外侧被P型衬底包裹，N型扩散区一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中；

N+扩散区，多个所述N+扩散区设置在所述P型衬底远离所述N型扩散区一端，所述N+扩散区外侧被P型衬底包裹，N+扩散区一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中；

P+扩散区，多个所述P+扩散区设置在所述N型扩散区上，所述P+扩散区外侧被N型扩散区包裹，P+扩散区一端露出N型扩散区，另一端沉入N型扩散区；

表面结构，设置在所述N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；

第一金属电极，设置在所述N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。

本实用新型所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构中，所述表面结构包括：

钝化层，呈环状设置在所述N型扩散区上，用于保护N型扩散区与P型衬底形成的PN结，所述钝化层接触N型扩散区和P型衬底，且覆盖N型扩散区和P型衬底在端面的接触处，钝化层与P+扩散区之间存在间隙；

第二金属电极，覆盖在所述钝化层表面，覆盖在所述N型扩散区和P+扩散区表面，包括接电极和连接部，所述连接部凸出所述接电极覆盖在钝化层内侧，连接部接触所述N型扩散区和P+扩散区，所述第二金属电极与P型衬底之间通过钝化层隔离。

本实用新型所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构中，多个所述P+扩散区间隔均匀，且在所述N型扩散区上排列呈网格状。

本实用新型所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构中，多个所述N+扩散区间隔均匀，且在所述P型衬底上排列呈网格状。

本实用新型所述的低嵌位电压的单向TVS芯片结构中，所述N+扩散区比所述P+扩散区的数量多。