[实用新型]一种金属布线层的封装结构

说明书

本实用新型提供一种金属布线层的封装结构，封装结构包括晶圆，分离层，形成于所述晶圆的表面；重新布线层介质层，形成于所述分离层的表面；图形化的种子层，形成于所述重新布线层介质层的表面；铜金属层，形成于所述种子层表面；所述图形化的种子层以及形成于种子层表面的所述铜层构成金属线布线层。本实用新型的去离子水浸泡步骤可使得晶圆显著降温，减少冲洗和吹干过程CuO的生成，Cu金属层表面光亮，无CuO附着，具有良好外观和电学性能。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，特别是涉及一种金属布线层的封装结构。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Lever Packaging,WLP)是一种直接在晶圆上进行大多数甚至全部封装和测试程序，之后再切割(Singulation)为单颗芯片(Chip)的技术方法，具有封装密度高，封装速度块，成本较低等优势。

在WLP制程中，电镀铜层后需要去除光阻，在此过程中，Cu层很容易形成CuO，不仅影响外观，还会引起电学性能和表面键合性能的劣化。因此提供一种金属布线层的制作方法和封装结构，减少去除光阻工艺过程后Cu表面上产生的CuO，改善铜层的外观和电性能，实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种金属布线层的制作方法及封装结构，用于解决现有技术中去除光阻工艺过程后Cu表面上产生的CuO的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种金属布线层的制作方法，包括步骤：提供晶圆；形成分离层；形成重布线层介质层；在介质层上沉积种子层；在种子层上沉积光阻，并图形化所述光阻以形成窗口，所述窗口显露所述种子层；基于所述种子层在所述窗口中电镀铜，以形成铜金属层；去除所述光阻以显露所述种子层，其中，去除所述光阻包括：采用去胶液去除光阻膜层、采用去离子水浸泡所述铜金属层、采用去离子水冲洗残留的光阻，最后采用氮气吹干；去除显露的所述种子层，以形成金属布线层。

可选地，所述去离子水浸泡时间为30～60秒。

可选地，所述去离子水浸泡的温度范围介于10～40℃。

可选地，所述重布线层介质层的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述形成重布线层介质层的方法包括塑封工艺、压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压成型以及旋涂成型中的一种。

可选地，所述种子层包括Ti/Cu种子层，沉积所述Ti/Cu种子层的方法包括溅射法、化学镀法、电镀法中的一种或组合。

可选地，所述去胶液包括含有二甲亚砜、乙二醇、N-甲基-2-吡咯烷酮以及四甲基氢氧化铵成份的去胶液。

可选地，所述金属布线层的制作方法包括用于晶圆级半导体封装的制备方法。

本实用新型还提供一种封装结构，所述封装结构包括：晶圆；分离层，形成于所述晶圆的表面；重布线层介质层，形成于所述分离层的表面；图形化的种子层，形成于所述重布线层介质层的表面；铜金属层，形成于所述种子层表面；所述图形化的种子层以及形成于所述种子层表面的所述铜金属层构成金属布线层。

可选地，所述Cu金属层表面光亮，无CuO附着。

可选地，所述重布线层介质层的材质包括环氧树脂、硅胶、PI、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种。

可选地，所述种子层包括Ti/Cu种子层。

可选地，所述Ti/Cu种子层中，Ti金属层的厚度为2nm～10nm之间，Cu金属层的厚度为2nm～10nm之间。

可选地，所述金属布线层的形状为相互独立的金属线、相互交叉的金属网或上述两者的组合。