[实用新型]基片处理设备有效
申请号: | 202022058133.8 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN212967665U | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 陈树青 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备包括:
腔体,其由外壳和盖子围合而成;
支架,其位于所述腔体内,对基片进行支撑;
升降机构,其进行升降运动,以驱动所述支架在所述腔体内进行升降;
控制信号发生器,其生成用于控制所述升降机构进行升降运动的控制信号;以及
基片探测器,其探测所述基片在所述支架上是否处于水平状态,
在所述基片探测器探测出所述基片在所述支架上处于相对于水平方向倾斜的状态时,所述升降机构停止进行所述升降运动。
2.如权利要求1所述的基片处理设备,其中,
所述基片探测器还探测所述基片在升降方向上是否位于预定位置,
在所述基片探测器探测出所述基片在所述升降方向上的位置不是预定位置时,所述升降机构停止进行所述升降运动。
3.如权利要求2所述的基片处理设备,其中,
所述预定位置与所述升降机构下降到最低点的位置对应。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理设备,其中,
所述基片探测器接收所述基片反射的光线,根据接收的光线的强度,判断所述基片是否处于水平状态和/或所述基片在升降方向上是否位于预定位置。
5.如权利要求4所述的基片处理设备,其中,
所述盖子至少部分为透明材料,
所述基片探测器位于所述腔体外部,位于所述基片所处区域的上方,透过所述透明材料对光线进行接收,
所述基片探测器沿竖直方向设置。
6.如权利要求4所述的基片处理设备,其中,
在所述基片探测器接收到的光线的强度不等于标准强度的情况下,
所述基片探测器使所述升降机构停止进行所述升降运动。
7.如权利要求4所述的基片处理设备,其中,
在所述基片探测器接收到的光线的强度等于标准强度的情况下,
所述基片探测器允许所述升降机构进行所述升降运动。
8.如权利要求6或7所述的基片处理设备,其中,
所述标准强度是:
在所述基片在所述支架上处于水平状态,并且所述基片位于所述预定位置的情况下,所述基片探测器接收到的光线的强度。
9.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理设备,其中,
所述基片处理设备还包括:
开关单元,其设置在所述升降机构和所述基片探测器之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造