[实用新型]平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置

说明书

本实用新型公开了一种平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置，包括上电极板、下电极板和送气机构，反应室由腔盖和腔体构成，上电极板安装在腔盖上，下电极板设于腔体的底板上，上电极板包括底盒和多个主管路，底盒的下端面为喷淋板，多个主管路呈矩阵式分布在底盒的上端面，送机机构包括多个送气组件，送气组件与主管路一一对应，送气组件包括送气支管以及设于送气支管上的流量计和控制阀，送气支管与对应的主管路连接。本实用新型将送气机构分成多组送气支路，通过流量计和控制阀调节局部区域的进气速率、气流大小，均衡上电极板的气体量，实现反应室的镀膜速率保持一致，能够大幅度提高镀膜的均匀性，进而大大提高了电池的转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制备领域，尤其涉及一种平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置。

背景技术

隧穿氧化钝化接触(TOPCon)由于具有显著减低界面的复合、更高的填充因子和更高的转换效率等特性，发展尤为迅速，已成为了新型钝化技术的研究热点，广泛应用在单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池等中。

平板式PECVD由于具有：沉积温度要求较低、沉积速率快且稳定可控、成膜均匀性稳定性良好、针孔较少、不易龟裂等优点，而被广泛应用于制备TOPCon电池的工业生产中。

现有的平板式PECVD，主要由反应腔室、上电极板、下电极板等组成，采用平行平板式结构，在真空条件下上下电极板通过辉光放电形成等离子体，由于需要产能大，耗能小，为了满足大产能的要求，只能采用增大单次装片量的方式，装片量增大，电极板的面积就必须增大，其放电均匀性就不能很好的满足TOPCon电池的要求，导致出现局部等离子体密度较低，辉光均匀性差，电池转换效率低，由于电极板面积大，电源引入点位单一，导致电极板上电场分布不均，影响辉光均匀性，当前的平板式PECVD设备不能很好的兼顾满足这些要求，造成晶硅电池的转换效率低下。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种能够大幅度提高镀膜的均匀性，进而大大提高了电池的转换效率的平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种平板式PECVD设备的局部送气可调的辉光放电装置，包括上电极板、下电极板和送气机构，所述上电极板和下电极板间隔设置在PECVD设备的反应室内，所述反应室由腔盖和腔体构成，所述上电极板安装在腔盖上，所述下电极板设于腔体的底板上，所述上电极板包括底盒和多个主管路，所述底盒的下端面为喷淋板，所述多个主管路呈矩阵式分布在底盒的上端面，且各主管路向上延伸至腔盖外，所述送气机构包括多个送气组件，所述送气组件与主管路一一对应，所述送气组件包括送气支管以及设于送气支管上的流量计和控制阀，所述送气支管与对应的主管路连接。

作为上述技术方案的进一步改进，所述底盒内设有匀流板，所述匀流板上设有多个均布的匀流孔。

作为上述技术方案的进一步改进，所述匀流板上下可调节的安装在底盒内。

作为上述技术方案的进一步改进，所述匀流孔的轴线与主管路的轴线相互错开。

作为上述技术方案的进一步改进，所述送气支管为具有阻断主管路与送气机构之间电接触的绝缘管路。

作为上述技术方案的进一步改进，所述腔盖两端设有腔盖凸缘，所述底盒设于两个腔盖凸缘之间，所述喷淋板的底面与腔盖凸缘的底面平齐。

作为上述技术方案的进一步改进，所述底盒的上端面布有多个电极接线柱，所述多个电极接线柱均与匹配电路连接，所述匹配电路与电源连接。

作为上述技术方案的进一步改进，所述底盒通过支撑柱安装在腔盖上，所述支撑柱上端穿设在腔盖上，下端与底盒固定连接，所述支撑柱通过绝缘套与腔盖绝缘。