[实用新型]IGBT模块有效

专利信息
申请号: 202022067634.2 申请日: 2020-09-21
公开(公告)号: CN212725305U 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 陆均尧;郝文煊;孟祥轩 申请(专利权)人: 山东斯力微电子有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L25/16;H01L23/49;H01L23/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: igbt 模块
【权利要求书】:

1.一种IGBT模块,其特征在于,包括封装结构和电路板,以及规格大小相同的第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元;所述电路板与所述封装结构连接,且包括通过键合铝线连接的第一子电路板、第二子电路板和第三子电路板;所述第一IGBT单元和所述第二IGBT单元设置在所述第一子电路板上,所述第三IGBT单元和所述第四IGBT单元设置在所述第二子电路板上,所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元设置在所述第三子电路板上,并且在所述IGBT模块的长度方向上依次排布。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块,其特征在于,所述第一子电路板和所述第二子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接,所述第二子电路板和所述第三子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接。

3.根据权利要求1所述的IGBT模块,其特征在于,所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均包括IGBT器件和快恢复二极管;所述IGBT器件和所述快恢复二极管在所述IGBT模块的宽度方向上依次排布,且所述长度方向和所述宽度方向垂直。

4.根据权利要求3所述的IGBT模块,其特征在于,所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均通过超声键合方式与其他IGBT单元和电路板之间连接。

5.根据权利要求4所述的IGBT模块,其特征在于,所述超声键合方式的功率比为35%~45%;其中功率比是指键合时设置的功率与键合机最大可调功率的比值。

6.根据权利要求1所述的IGBT模块,其特征在于,所述IGBT模块的额定电流为200A,额定电压为1200V。

7.根据权利要求1所述的IGBT模块,其特征在于,所述IGBT模块还包括热敏电阻,用于感测所述IGBT模块内部的温度。

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