[实用新型]IGBT模块

说明书

本实用新型提供IGBT模块，包括封装结构和电路板，以及规格大小相同的第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元；所述电路板与所述封装结构连接，且包括通过键合铝线连接的第一子电路板、第二子电路板和第三子电路板；所述第一IGBT单元和所述第二IGBT单元设置在所述第一子电路板上，所述第三IGBT单元和所述第四IGBT单元设置在所述第二子电路板上，所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元设置在所述第三子电路板上，并且在所述IGBT模块的长度方向上依次排布。本实施例中IGBT模块的额定电压为1200V且额定电流可达200A，可适用于更大功率器件的场合应用；通过对IGBT单元的排布进行调整并结合超声键合技术，可以保证模块具有良好的散热性能。

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域，具体涉及IGBT模块。

背景技术

IGBT是由MOSFET和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作在几十KHZ频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。

目前，现有的IGBT模块因受限于现有的封装工艺，即既要考虑IGBT模块轻便，又要考虑散热性能好，从而导致无法封装较大功率的芯片，例如现有IGBT模块的最大额定电流为180A。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供IGBT模块，以解决相关技术中存在的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种IGBT模块，包括封装结构和电路板，以及规格大小相同的第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元；所述电路板与所述封装结构连接，且包括通过键合铝线连接的第一子电路板、第二子电路板和第三子电路板；所述第一IGBT单元和所述第二IGBT单元设置在所述第一子电路板上，所述第三IGBT单元和所述第四IGBT单元设置在所述第二子电路板上，所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元设置在所述第三子电路板上，并且在所述IGBT模块的长度方向上依次排布。

可选地，所述第一子电路板和所述第二子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接，所述第二子电路板和所述第三子电路板之间通过在所述IGBT模块的宽度方向上两排键合铝线连接。

可选地，所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均包括IGBT器件和快恢复二极管；所述IGBT器件和所述快恢复二极管在所述IGBT模块的宽度方向上依次排布，且所述长度方向和所述宽度方向垂直。

可选地，所述第一IGBT单元、所述第二IGBT单元、所述第三IGBT单元、所述第四IGBT单元、所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元中各IGBT单元均通过超声键合方式与其他IGBT单元和电路板之间连接。

可选地，所述超声键合方式的功率比为35％～45％；其中功率比是XX。

可选地，所述IGBT模块的额定电流为200A，额定电压为1200V。

可选地，所述IGBT模块还包括热敏电阻，用于感测所述IGBT模块内部的温度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：