[实用新型]一种半导体外延结构及其应用有效
| 申请号： | 202022077406.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN213327795U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：
基板；
氮化铝层，形成于所述基板上；
超晶格结构，形成于所述氮化铝层上，其中所述超晶格结构包括多个氮化铝层夹层及多个氮化铝镓夹层；
至少一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上。
2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述氮化镓层包括第一氮化镓层、第二氮化镓层以及第三氮化镓层。
3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述氮化铝层的厚度为4-10nm。
4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述氮化铝镓夹层的厚度为10-30nm。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：根据权利要求1所述的半导体外延结构。
6.一种电子装置，其特征在于，包括：根据权利要求5所述的半导体器件。
7.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：根据权利要求1所述的半导体外延结构。
8.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，包括：根据权利要求7所述的发光二极管结构。
9.一种微发光二极管面板，其特征在于，包括：根据权利要求7所述的发光二极管结构。
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