[实用新型]一种半导体外延结构及其应用

说明书

本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种半导体外延结构及其应用。

背景技术

由于第三代半导体材料，例如氮化镓或碳化硅，具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以作为半导体材料，而获得半导体外延结构。

但是在第三代半导体材料，例如氮化镓作为半导体外延结构时，仍具有多种问题，例如晶格失配等问题等问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，以降低氮化镓与硅之间的晶格失配，提高所述半导体外延结构的质量。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体外延结构，该半导体外延结构包括：

基板；

氮化铝层，形成于所述基板上；

第一氮化铝镓层，形成于所述氮化铝层上；

第二氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上；

氮化镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上；

其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。

在本实用新型一实施例中，所述氮化镓层包括第一氮化镓层、第二氮化镓层以及第三氮化镓层。

在本实用新型一实施例中，所述氮化铝层的厚度为4-10nm。

在本实用新型一实施例中，所述氮化铝镓层的厚度为10-30nm。

本实用新型还提供一种半导体器件，包括上述所述的半导体外延结构。

本实用新型还提供一种电子装置，包括上述所述的半导体器件。

本实用新型还提供一种发光二极管结构，包括上述所述的半导体外延结构。

本实用新型还提供一种微型发光二极管芯片，包括上述所述的发光二极管结构。

本实用新型还提供一种微发光二极管面板，包括上述所述的发光二极管结构。

综上所述，本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，可以获得高质量的外延结构，可以提高耐压具有较高的耐压性能，提高所述半导体外延结构的质量。

附图说明

图1：本实施例提出的生长腔体的简要示意图。

图2：本实施例中基座的另一简要示意图。

图3：本实施例中基座的背面示意图。

图4：本实施例中加热器的简要示意图。

图5：本实施例中加热器另一简要示意图。

图6：本实施例中测温装置的简要示意图。

图7：本实施例中磁体的简要示意图。

图8：本实施例中磁体的另一简要示意图。

图9：本实施例中磁体的另一简要示意图。

图10：本实施例中反射板的简要示意图。

图11：本实施例中卡箍的简要示意图。