[实用新型]基板的支撑装置及PECVD设备

说明书

本实用新型提供一种基板的支撑装置及PECVD设备，基板的支撑装置，包括基座和与基座上配合设置的可升降的支撑机构，基座设有多个通孔，通孔的内侧壁嵌套有第一磁性件；支撑机构包括多个支撑件，支撑件上具有与第一磁性件的磁性相同的第二磁性件，支撑件与通孔一一对应设置，以使支撑件的顶端可经通孔伸出至基座表面，并保持支撑件的外侧壁与通孔的内侧壁之间具有间隙。本实用新型提供的基板的支撑装置及PECVD设备，能减少支撑件与通孔摩擦产生的颗粒，提高产品的良品率。

技术领域

本实用新型涉及电子设备制造技术领域，尤其涉及一种基板的支撑装置及PECVD设备。

背景技术

等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VapourDeposition，PECVD)，是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性较强，易发生反应，在基板上沉积出的薄膜，为保证薄膜膜厚需将基板支撑在支撑装置上并保证平稳。

现有的基板的支撑装置包括基座和位于基座下方的支撑机构，基座上设有多个通孔，支撑机构包括多个支撑件，支撑件与通孔一一对应设置，且支撑件的轴线与通孔的轴线重合，支撑件可沿通孔的轴线上下移动，支撑件可经通孔伸出至基座的上方，支撑件的外侧壁与通孔的内侧壁之间具有间隙，支撑件作为取放基板的重要器件，用于在取放基板时将基板顶起。

然而，支撑件在上下移动的过程中易于与通孔摩擦而产生大量的微粒，影响产品的良品率。

实用新型内容

本实用新型提供一种基板的支撑装置及PECVD设备，能减少支撑件与通孔摩擦产生的颗粒，提高产品的良品率。

第一方面，本实用新型提供一种基板的支撑装置，包括基座和与所述基座上配合设置的可升降的支撑机构，所述基座设有多个通孔，所述通孔的内侧壁嵌套有第一磁性件；

所述支撑机构包括多个支撑件，所述支撑件上具有与所述第一磁性件的磁性相同的第二磁性件，所述支撑件与所述通孔一一对应设置，以使所述支撑件的顶端可经所述通孔伸出至所述基座表面，并保持所述支撑件的外侧壁与所述通孔的内侧壁之间具有间隙。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种基板的支撑装置，所述第一磁性件套接在所述通孔内侧壁；或者，至少四个所述第一磁性件均匀周向设置在所述通孔的内侧壁。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种基板的支撑装置，所述通孔为台阶孔，所述通孔包括同轴设置的大径孔段和小径孔段，所述大径孔段的内径大于所述小径孔段的内径，所述第一磁性件套接在所述大径孔段内，且所述第一磁性件的内侧壁与所述小径孔段的内侧壁平齐。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种基板的支撑装置，所述大径孔段的轴向长度大于或等于所述通孔的轴向总长度的二分之一，且小于或等于所述通孔的轴向总长度的三分之二。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种基板的支撑装置，所述支撑件为顶针，所述支撑件包括依次同轴连接的顶针尖、顶针颈和顶针座，所述顶针尖呈锥型，所述顶针尖的大径端的外径与所述顶针颈的外径相等，所述顶针座的外径大于所述顶针颈的外径，所述第二磁性件位于所述顶针颈上；

所述顶针尖和所述顶针颈可经所述通孔伸出至所述基座的上方，所述顶针尖用于支撑所述基板。

在一种可能的实施方式中，本实用新型提供的一种基板的支撑装置，所述第二磁性件为磁套，所述第二磁性件套接在所述顶针颈上；或者，所述第二磁性件的数量为至少四个，且各所述第二磁性件均匀设置在所述顶针颈的外侧壁。