[实用新型]一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备有效
| 申请号： | 202022097000.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN212659519U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 旷运中 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 梁欣 |
| 地址： | 400030 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冷却 升降 装置 刻蚀 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆自整定冷却升降装置，包括连接部和呈环状的提升部，其特征在于，所述提升部包括向上延伸的环状侧壁，所述侧壁的顶面为向内侧倾斜的光滑斜面，所述侧壁内侧设有向内凸起的至少三个高度相同的用于支撑晶圆的支撑部，所述支撑部的顶面不高于所述斜面的最低位置。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆自整定冷却升降装置，其特征在于：
所述支撑部在所述侧壁内侧圆周上均匀分布。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆自整定冷却升降装置，其特征在于：
所述斜面的倾角为45°～75°。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆自整定冷却升降装置，其特征在于：
所述斜面的倾角为60°。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆自整定冷却升降装置，其特征在于：
所述侧壁还设有便于拾取晶圆的开口，所述开口位于非所述连接部一侧的两个相邻支撑部之间。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆自整定冷却升降装置，其特征在于：
所述侧壁上的所述开口两端的位置与所述两个相邻支撑部间隔一段安全距离，所述安全距离用于使拾取晶圆的装置能够避开所述两个相邻支撑部。
7.一种干法刻蚀设备，包括冷却腔室，其特征在于，所述冷却腔室中设有如权利要求1-6任一项所述的一种晶圆自整定冷却升降装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
