[实用新型]一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备有效
申请号: | 202022097000.1 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN212659519U | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 旷运中 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 梁欣 |
地址: | 400030 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冷却 升降 装置 刻蚀 设备 | ||
本实用新型公开了一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备,包括连接部和呈环状的提升部,所述提升部包括向上延伸的环状侧壁,所述侧壁的顶面为向内侧下方倾斜的光滑斜面,所述侧壁内侧设有向内凸起的至少三个高度相同的用于支撑晶圆的支撑部,所述支撑部的顶面不高于所述斜面的最低位置。本实用新型不用额外辅助工具就能实现晶圆校准,能有效防止晶圆位置偏移,解决了偏移晶圆传入冷却腔室后位置不好导致的晶圆冷却效果不佳、晶圆刮伤或碎片等问题。
技术领域
本实用新型属于干法刻蚀技术领域,具体涉及一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备。
背景技术
现有的干法刻蚀设备冷却腔室中设计有冷却升降装置,是为了在冷却腔室中升降晶圆,以实现晶圆顺利往返于机器手臂和将晶圆顺利放在冷却腔室的冷却基座平台上。
现有技术中的冷却升降装置如图1所示,包括连接部1以及环状的提升部2,所述提升部2上设有三个用于升降晶圆的提升销3(lift pin),所述提升销3在朝向所述提升部2中心方向上设有用于盛放晶圆的延伸部。所述提升部中间的圆洞用于避让所述冷却基座,以便于冷却升降装置降到低于冷却基座平台的位置,让晶圆能放在冷却基座平台上。
由于现有的冷却升降装置上只有三个提升销来放置和提升晶圆,有时从其它腔室传送到冷却腔室的晶圆的位置有些偏差,可能不在冷却升降装置正中心,当偏移量比较大时,就会导致晶圆斜放置在冷却升降装置上。在这种情况下,当冷却升降装置带着晶圆上升下降或者在传送过程中就都有可能导致晶圆破碎的风险。
具体来说,由于只有三个点支撑晶圆,如果晶圆位置偏离,容易导致出现以下情况:1、晶圆没有完全放在冷却基座平台上,造成晶圆不能完全冷却,高温会造成晶圆盒损坏并产生污染;2、由于晶圆位置偏移,传回晶圆盒时会导致设备报警,设备宕机;3、晶圆位置偏移(比如晶圆斜插到提升销延伸部的下方),在提升销升降的时候会导致晶圆破片;4、晶圆位置偏移,当机器手臂进来抓取晶圆时会撞到晶圆导致碎片。
实用新型内容
针对现有技术中所存在的不足,本实用新型提供了一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备,不用额外辅助工具就能实现晶圆校准,能有效防止晶圆位置偏移。
第一方面,一种晶圆自整定冷却升降装置,包括连接部和呈环状的提升部,所述提升部包括向上延伸的环状侧壁,所述侧壁的顶面为向内侧倾斜的光滑斜面,所述侧壁内侧设有向内凸起的至少三个高度相同的用于支撑晶圆的支撑部,所述支撑部的顶面不高于所述斜面的最低位置。
一种优化方案,所述支撑部在所述侧壁内侧圆周上均匀分布。
一种优化方案,所述斜面的倾角为45°~75°。
一种优化方案,所述斜面的倾角为60°。
一种优化方案,所述侧壁还设有便于拾取晶圆的开口,所述开口位于非所述连接部一侧的两个相邻支撑部之间。
一种优化方案,所述侧壁上的所述开口两端的位置与所述两个相邻支撑部间隔一段安全距离,所述安全距离用于使拾取晶圆的装置能够避开所述两个相邻支撑部。
第二方面,一种干法刻蚀设备,包括冷却腔室,所述冷却腔室中设有如前述的任一种晶圆自整定冷却升降装置。
相比于现有技术,本实用新型具有如下有益效果:
通过在冷却升降装置上加入了自整定结构的设计,解决了偏移晶圆传入冷却腔室后位置不好导致的晶圆冷却效果不佳、晶圆刮伤或碎片等问题。本实施例具有良好的晶圆校准作用,既能保证晶圆在冷却腔室的正确位置,又改善了晶圆的冷却效果。还降低了设备报警率,提高了设备的正常运行时间。降低了晶圆报废的风险。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造