[实用新型]一种晶片等离子CMP抛光的装置

说明书

一种晶片等离子CMP抛光的装置，属于抛光装置领域。本实用新型解决了现有的CMP抛光装置抛光平坦度差，操作繁琐的问题。本实用新型包括装载机构、抛光机构和加热筒，装载机构布置在抛光机构上方，加热筒安装在抛光机构上；所述装载机构包括可移动载晶片头、抽真空口、晶片旋转电机、等离子阴极片、载晶片软膜和晶片，可移动载晶片头底部安装有晶片旋转电机，晶片旋转电机上安装有等离子阴极片，载晶片软膜放置在等离子阴极片上，载晶片软膜用于放置晶片，在可移动载晶片头上开有抽真空口；所述抛光机构包括环形抛光垫、抛光垫支撑板和支撑电旋转电机，环形抛光垫放置在抛光垫支撑板上方，抛光垫支撑板的底部安装有支撑电旋转电机。

技术领域

本实用新型涉及一种晶片等离子CMP抛光的装置，属于抛光装置领域。

背景技术

化学机械抛光技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段，这种工艺就是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的，CMP属于化学作用和机械作用相结合的技术，其过程相当复杂，影响因素很多，首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后再抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应，这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。

目前市面上现有的CMP抛光装置存在以下缺点：

1.现有的CMP抛光装置仅能进行CMP抛光，功能过于单一，并且步骤复杂，抛光后的表面平坦度光滑度不好；

2.目前现有的CMP抛光装置占用空间过大，使用起来不方便，在抛光处理时不是十分便利。

综上所述，亟需一种具有操作方便、抛光平坦度较高的晶片等离子CMP抛光装置用以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型解决了目前现有的CMP抛光装置抛光平坦度差、操作繁琐的问题，本实用新型公开了“一种晶片等离子CMP抛光的装置”。在下文中给出了关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。

本实用新型的技术方案：

一种晶片等离子CMP抛光的装置，包括装载机构、抛光机构和加热筒，装载机构布置在抛光机构上方，加热筒安装在抛光机构上；

所述装载机构包括可移动载晶片头、抽真空口、晶片旋转电机、等离子阴极片、载晶片软膜和晶片，可移动载晶片头底部安装有晶片旋转电机，晶片旋转电机上安装有等离子阴极片，载晶片软膜放置在等离子阴极片上，载晶片软膜用于放置晶片，在可移动载晶片头上开有抽真空口；

所述抛光机构包括环形抛光垫、抛光垫支撑板和支撑电旋转电机，环形抛光垫放置在抛光垫支撑板上方，抛光垫支撑板的底部安装有支撑电旋转电机。

进一步的，所述加热筒上安装有高压阳极板，加热筒的内部开有高压管。

进一步的，所述高压阳极板上开有通孔。

本实用新型的有益效果：

1.本实用新型的一种晶片等离子CMP抛光的装置，可以在完成CMP抛光的同时，在进行等离子轰击，使晶片表面的平坦度高出数倍，并且抛光处理便利；

2.本实用新型的一种晶片等离子CMP抛光的装置为等离子抛光机一体机装置，能实现一体化，占用空间小，使用相对方便。

附图说明

图1是一种晶片等离子CMP抛光的装置整体结构示意图；

图2是等离子产生原理示意图；

图3是高压阳极板的结构示意图；