[实用新型]一种用于基板单面刻蚀的传动辊及单面刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 202022106688.5 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN212907669U 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 左国军;刘洪勇;万红朝 申请(专利权)人: 常州捷佳创精密机械有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 代理人: 尹彦
地址: 213000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 单面 刻蚀 传动 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种用于基板单面刻蚀的传动辊及单面刻蚀设备,该设备包括槽体,传动辊平行且等间距地设置在槽体上方,该辊体表面均匀设有吸附槽,所述吸附槽在辊体转动时吸附下方的刻蚀液并将所述刻蚀液作用于辊体上移动的基板底面完成单面刻蚀。本实用新型通过提出一种用于基板的传动辊及单面刻蚀设备,将传统刻蚀设备中溶液液面直接和硅片下表面接触的方式,改为通过有吸附槽的传动辊转动把溶液吸附在传动辊表面,硅片再与传动辊表面溶液反应刻蚀,从而去除硅片的单面磷硅玻璃或硼硅玻璃层,避免溶液翻液到硅片上表面,降低硅片产品的不良率。

技术领域

本实用新型涉及硅片刻蚀技术领域,尤其涉及一种用于基板的传动辊及单面刻蚀设备。

背景技术

基板在进行扩散工艺后,通常都会在基板(如硅片)表面会形成一层PSG(PhosphoSilicate Glass,磷硅玻璃、硼硅玻璃),需要将基板其中一面的PSG进行去除。现有链式单面去PSG设备采用调节溶液液面高度和硅片下表面接触,来进行刻蚀以达到去除单面磷硅玻璃或硼硅玻璃层的方法,但是现有的这种方式容易导致刻蚀溶液翻液到硅片上表面刻蚀到上表面的磷硅玻璃或硼硅玻璃层,增加硅片产品的不良率。

另外还有现有技术将运输基板的辊棍浸入在刻蚀液中,通过光滑的辊棍与基板底面接触,从而实现刻蚀,但是光滑辊棍沾取刻蚀液的效果并不佳,从而导致刻蚀效果不佳,增加硅片产品的不良率。

实用新型内容

为了解决现有技术中单面刻蚀要么容易导致刻蚀液翻到基板上表面、要么底面刻蚀效果不佳的技术问题,本实用新型提出了一种用于基板单面刻蚀的传动辊及单面刻蚀设备。

本实用新型提出的用于基板单面刻蚀的传动辊,包括:辊体,所述辊体表面均匀设有吸附槽,所述吸附槽在辊体转动时吸附下方的刻蚀液并将所述刻蚀液作用于辊体上移动的基板底面完成单面刻蚀。

进一步地,所述辊体外表面设有螺纹,所述螺纹的相邻螺牙之间形成所述吸附槽。

进一步地,所述吸附槽的两侧槽壁自开口向下逐渐靠拢,且所述吸附槽的底部呈圆弧角。

进一步地,所述吸附槽的两侧槽壁之间形成的夹角大于等于26度,小于等于30度,所述吸附槽的槽深度为0.3mm-0.5mmmm。

本实用新型提出的包含上述技术方案中传动辊的一种单面刻蚀设备,包括:

槽体,传动辊平行且等间距的设置在所述槽体上方。

进一步地,所述槽体包括槽底板,设置在槽底板四周的槽侧板,与所述槽底板固定位于所述槽侧板内的挡水板组件,设置在所述挡水板组件围成的刻蚀区底部的进液口,设置在挡水板组件与槽侧板之间围成的排液区底部的排液口。

进一步地,位于所述刻蚀区内的所述传动辊部分浸入刻蚀液内,位于所述刻蚀区内的所述传动辊浸入刻蚀液内的高度为(0.3-0.4)D,D为所述传动辊的外径,优选地,位于所述刻蚀区内的所述传动辊浸入刻蚀液内的高度为0.35D。

进一步地,所述挡水板组件包括:设有固定槽的第一固定板,固定在所述固定槽内可调节相对于第一固定板高度的第二固定板。

进一步地,所述第二固定板顶面为自刻蚀区朝向排液区的方向高度逐渐降低的斜面。

进一步地,所述第二固定板自顶部向底部设有锁紧螺丝和顶紧螺丝,所述第二固定板通过所述锁紧螺丝与所述第一固定板固定连接,通过所述锁紧螺丝配合支撑在所述固定槽内的顶紧螺丝调节相对于第一固定板的高度。

本实用新型通过在传动辊的辊体表面均匀设置吸附槽,使得传动辊的表面可以充分吸附刻蚀液,从而对经过传动辊上方的基板进行良好的刻蚀,去除硅片的单面磷硅玻璃或硼硅玻璃层,不仅可以避免刻蚀液翻到硅片上表面,同时还可以降低基板单面刻蚀的不良率。

附图说明

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