[实用新型]一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置有效
申请号: | 202022138255.8 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN213517422U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 陈婧瑶;赵娟;张帅;包星晨;刘阳 | 申请(专利权)人: | 华东光电集成器件研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/04 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233030 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 晶圆级 半自动 低频 参数 测试 装置 | ||
本实用新型提供一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置,它包括底座(1),在底座(1)上设有显微镜(3),其特征在于:在显微镜(3)一侧的底座(1)上设有探针夹持装置(5),在探针夹持装置(5)上设有测试探针(6),在底座(1)上还设有BNC测试单元(8),所述的BNC测试单元(8)通过线缆与测试探针(6)形成电信号连接配合。本实用新型结构简单、使用方便,能够避免测量不同低频参数时频繁拆装与测试仪表连接的外部测试电缆,实现半自动测试,提高测试效率。
技术领域:
本发明涉及毫米波半导体固态功率器件测试技术领域,具体地说就是一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置。
背景技术:
IMPATT二极管利用雪崩效应和渡越时间效应相结合产生负阻,在外加高反向偏压作用下可以获得负阻振荡。IMPATT二极管低频参数主要有正向导通电压,反向击穿电压以及零偏电容等。这些低频参数与IMPATT二极管产生负阻振荡时频率、功率及效率密切相关。
IMPATT二极管在工艺制备过程中需多次进行低频参数测试,在晶圆阶段需要将低频参数测试合格的管芯进行打点标记。晶圆阶段测试需要探针台承载晶圆并建立待测管芯与测试仪表之间的电学连接,现有的探针台结构单一,测量不同低频参数时需要更换测试系统的电气连接。频繁更换测试系统的电气连接,测试效率较低,且影响测试结果的一致性。
IMPATT二极管低频参数中的零偏电容为Pf量级,属于小电容测试,探针台不仅需要采用开尔文接线方式,还需要在探针周围增加屏蔽层,从而提高小电容测试精度。目前,现有的探针台均无法满足上述要求,因此,设计一种小电容测试精度满足要求的IMPATT二极管晶圆级半自动低频参数测试装置尤为重要。
发明内容:
本发明就是为了克服现有技术中的不足,提供一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置。
本申请提供以下技术方案:
一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置,它包括底座,在底座上设有显微镜,其特征在于:在显微镜一侧的底座上还设有探针夹持装置,在探针夹持装置上设有测试探针,在底座上还设有BNC测试单元,所述的BNC测试单元通过线缆与测试探针形成电信号连接配合。
在上述技术方案的基础上,还可以有以下进一步的技术方案:
所述的探针夹持装置包括探针架,在探针架顶端连接有悬臂,在悬臂一端设有槽体,在槽体内插接有与测试探针连接配合的探针座。
所述的探针座包括探针座主体,所述的测试探针同轴插接在探针座主体内,所述测试探针下端的针尖端伸出探针座主体底部,在探针座主体内测试探针上包裹有一段热缩管,在探针座主体的外壁上,覆盖有金属屏蔽层,在探针座主体上端部的外壁上还设有一组环状分布的摩擦纹,在探针座主体顶端螺纹连接有顶帽,在顶帽内竖直设有金属套筒,所述的金属套筒与顶帽外壁之间填充有绝缘层,所述金属套筒的下端伸出顶帽底部与测试探针的上端形成插接配合。
所述BNC测试单元包括外壳,在外壳上设有一组BNC接口和一组接线口以及一个按钮开关,所述的BNC接口与接线口以及按钮开关通过外壳内的电缆形成电信号连接配合。
在探针座一侧的槽体上还穿设有锁紧锁栓。
发明优点:
本发明结构简单、使用方便,通过金属屏蔽层的设计能够提高晶圆级IMPATT二极管小电容测试精度,而且通过测试接口切换开关的设计能够避免测量不同低频参数时频繁拆装与测试仪表连接的外部测试电缆,实现半自动测试,提高测试效率。
附图说明:
图1是本发明的整体结构示意图;
图2是图1中探针座的结构示意图;
图3是图1中BNC测试单元的示意图。
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