[实用新型]一种具有多层金属连线的半导体器件有效
| 申请号： | 202022144091.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN213660399U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 武吉龙;林科闯;郭佳衢;邱宗德;高谷信一郎 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 金属 连线 半导体器件 | ||
1.一种具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：包括由下至上按序设置的半导体基底、第一介质层、第一SiN层、第二介质层和第二SiN层，还包括第一金属连线层和第二金属连线层，第一金属连线层嵌设于第一介质层之中，第二金属连线层嵌设于第一SiN层、第二介质层和第二SiN层之中；第一金属连线层的底端与半导体基底相连，顶端与第二金属连线层的底端相连，第二金属连线层的顶端至少部分外露于第二SiN层。
2.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第一SiN层和第二SiN层的厚度分别为200～800nm。
3.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第二介质层的厚度为6～15μm。
4.根据权利要求3所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第二介质层的厚度为8μm。
5.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第二介质层的材料为PI、BCB或PBO。
6.根据权利要求5所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第一SiN层和第二介质层设有通孔，所述第二金属连线层填充通孔并延伸至所述第二介质层表面，所述第二SiN层覆盖第二金属连线层和第二介质层并设有使所述第二金属连线层的顶端至少部分外露的外连口。
7.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第二介质层包括上下叠层，其中下层的材料为PBO或PI，厚度为6～15μm；上层的材料为PBO或BCB，厚度为6～15μm。
8.根据权利要求7所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第一SiN层和下层设有通孔，所述第二金属连线层填充通孔并延伸至所述下层的表面，所述上层覆盖第二金属连线层和下层，所述第二SiN层覆盖上层，所述上层和第二SiN层设有使所述第二金属连线层的顶端至少部分外露的外连口。
9.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述第一SiN层和第二SiN层还覆盖所述第一介质层和第二介质层的侧壁。
10.根据权利要求1所述的具有多层金属连线的半导体器件，其特征在于：所述半导体基底是砷化镓基衬底、氮化镓基衬底、碳化硅基衬底、砷化镓基外延片、氮化镓基外延片或碳化硅基外延片。
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