[实用新型]可控硅结构

权利要求书

1.一种可控硅结构，其特征在于，包括：

N型衬底；

背面P型掺杂，设置在所述N型衬底一端；

P型穿通环，位于所述N型衬底四周，一端接触所述背面P型掺杂，用于将背面P型掺杂与N型衬底所形成的PN结引到表面；

正面P型掺杂，设置在所述N型衬底远离背面P型掺杂一端，覆盖在N型衬底上，覆盖在P型穿通环上；

隔离槽，呈环状，一端露出所述正面P型掺杂，另一端穿过正面P型掺杂，沉入N型衬底中；

N型掺杂区，设置在所述正面P型掺杂上，外侧被所述正面P型掺杂包裹，一端露出正面P型掺杂，另一端沉入正面P型掺杂中；

表面结构，包括钝化层、第一金属电极和第二金属电极，设置在所述正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接；

第三金属电极，覆盖在所述背面P型掺杂上远离表面结构一侧，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。

2.根据权利要求1所述的可控硅结构，其特征在于，所述N型掺杂区，所述N型掺杂区边缘设置有缺口，所述缺口用于露出所述正面P型掺杂。

3.根据权利要求2所述的可控硅结构，其特征在于，所述钝化层设置在所述正面P型掺杂远离N型衬底的一端，位于所述隔离槽两侧，所述钝化层接触正面P型掺杂和N型掺杂区，用于保护N型掺杂区和正面P型掺杂所形成的PN结，用于可控硅阴极K与门极G之间的钝化隔离，中部设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于N型掺杂区上，用于露出N型掺杂区，所述第二通孔靠近所述缺口，用于露出正面P型掺杂；

所述第一金属电极设置在所述隔离槽内侧，用于封装可控硅阴极电极焊接导电，包括第一接电极和第一连接部，所述第一连接部凸出所述第一接电极连接在第一通孔内，第一连接部接触所述N型掺杂区，所述第二金属电极与正面P型掺杂之间通过第二钝化层隔离；

所述第二金属电极设置在所述正面P型掺杂区沿所述缺口露出位置，用于可控硅封装门极电极焊接导电，包括第二接电极和第二连接部，所述第二连接部凸出所述第二接电极连接在第二通孔内，第二连接部接触所述正面P型掺杂。

4.根据权利要求3所述的可控硅结构，其特征在于，所述N型掺杂区上设置有多个短路孔，所述短路孔一端接触所述第一金属电极，另一端接触所述正面P型掺杂，短路孔内设置有P+掺杂区。

5.根据权利要求4所述的可控硅结构，其特征在于，距离所述缺口越远的短路孔的横截面面积越大。

6.根据权利要求4所述的可控硅结构，其特征在于，距离所述缺口位置越远的短路孔之间的间距越小。

7.根据权利要求3所述的可控硅结构，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极之间有间隙。

8.根据权利要求1所述的可控硅结构，其特征在于，所述背面P型掺杂和所述N型衬底接触处形成第一PN结，所述正面P型掺杂和N型衬底接触处形成第二PN结。

9.根据权利要求8所述的可控硅结构，其特征在于，所述第一PN结和第二PN结之间有间隙。

10.根据权利要求1所述的可控硅结构，其特征在于，所述N型掺杂区的厚度小于所述正面P型掺杂的厚度，N型掺杂区露出正面P型掺杂的一端与正面P型掺杂表面平齐，N型掺杂区与所述正面P型掺杂之间存在间隙。