[实用新型]可控硅结构

说明书

本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。本实用新型的可控硅结构，提高了电压和电流的调节能力。

技术领域

本实用新型涉及可控硅结构领域，特别涉及一种可控硅结构。

背景技术

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。现有的可控硅结构对电压电流调节的能力较差，故需要提供一种可控硅结构来解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种可控硅结构，以解决现有技术中的可控硅结构对电压电流调节的能力较差，以及各个部件的分布不够合理的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种可控硅结构，其包括：

N型衬底；

背面P型掺杂，设置在所述N型衬底一端；

P型穿通环，位于所述N型衬底四周，一端接触所述背面P型掺杂，用于将背面P型掺杂与N型衬底所形成的PN结引到表面；

正面P型掺杂，设置在所述N型衬底远离背面P型掺杂一端，覆盖在N型衬底上，覆盖在P型穿通环上；

隔离槽，呈环状，一端露出所述正面P型掺杂，另一端穿过正面P型掺杂，沉入N型衬底中；

N型掺杂区，设置在所述正面P型掺杂上，外侧被所述正面P型掺杂包裹，一端露出正面P型掺杂，另一端沉入正面P型掺杂中；

表面结构，包括钝化层、第一金属电极和第二金属电极，设置在所述正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接；

第三金属电极，覆盖在所述背面P型掺杂上远离表面结构一侧，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。

本实用新型所述的可控硅结构中，所述N型掺杂区，所述N型掺杂区边缘设置有缺口，所述缺口用于露出所述正面P型掺杂。

本实用新型所述的可控硅结构中，所述钝化层设置在所述正面P型掺杂远离N型衬底的一端，位于所述隔离槽两侧，所述钝化层接触正面P型掺杂和N型掺杂区，用于保护N型掺杂区和正面P型掺杂所形成的PN结，用于可控硅阴极K与门极G之间的钝化隔离，中部设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于N型掺杂区上，用于露出N型掺杂区，所述第二通孔靠近所述缺口，用于露出正面P型掺杂；

所述第一金属电极设置在所述隔离槽内侧，用于封装可控硅阴极电极焊接导电，包括第一接电极和第一连接部，所述第一连接部凸出所述第一接电极连接在第一通孔内，第一连接部接触所述N型掺杂区，所述第二金属电极与正面P型掺杂之间通过第二钝化层隔离；