[实用新型]一种芯片封装体和电子装置

说明书

本申请公开了一种芯片封装体和电子装置，其中，该芯片封装体包括：图案化的金属基材板，其中，金属基材板中设置有第一通孔；芯片，设置在第一通孔中；第一绝缘层，覆盖在芯片和金属基材板上，并填充所述第一通孔，其中，第一绝缘层中设置有第二通孔以裸露出部分的金属基材板和芯片；图案化的第一导电层，设置在第一绝缘层上和通孔内，以使芯片藉由第一导电层而连接至金属基材板。通过上述方式，本申请中的芯片封装体能够实现芯片的双面散热，且结构较为简单，电气路径和散热路径短，具有优异的低阻特性和散热效果，能够实现芯片封装体的小型化和轻薄化。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种芯片封装体及其制程方法和电子装置。

背景技术

近年来随着Mosfet(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管)、 IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)功率模块几乎被应用于所有的功率工业产品中，相应的功率器件也朝着高性能、快速度、小体积及多芯片连接封装的方向稳步发展。

然而，传统的wire bonding(半导体键合金线)及双面铜互联工艺及制程方法却渐渐地难以满足功率器件为实现高性能、快速度、小体积、多芯片连接封装及模块化的要求。功率半导体封装工艺需要向更加优异的PLFO(Pane level Fan out，片状等级散出封装技术)工艺封装方式的方向发展。

实用新型内容

本申请提供了一种芯片封装体和电子装置，以解决现有技术中的芯片封装体无法实现小型化、轻薄化以及优异的电气和散热特性的技术效果的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装体，其中，该芯片封装体包括：图案化的金属基材板，其中，金属基材板中设置有第一通孔；芯片，设置在第一通孔中；第一绝缘层，覆盖在芯片和金属基材板上，并填充第一通孔，其中，第一绝缘层中设置有第二通孔以裸露出部分的金属基材板和芯片；图案化的第一导电层，设置在第一绝缘层上和通孔内，以使芯片藉由第一导电层而连接至金属基材板。

其中，第一绝缘层与第一导电层重叠的部分之间还设置有图案化的第二导电层，芯片藉由第一导电层连接至第二导电层和金属基材板。

其中，芯片封装体还包括有导电金属层，导电金属层设置在金属基材板远离第一导电层的一侧表面以及芯片和第一绝缘层与之同水平面一侧的表面上。

其中，芯片封装体还包括有第二绝缘层，第二绝缘层覆盖在第一导电层和部分裸露的第一绝缘层上。

其中，第二绝缘层的导热系数大于第一绝缘层的导热系数。

其中，芯片的底面积小于第一通孔的底面积，且不与金属基材板直接接触。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种电子装置，其中，该电子装置包括如上任一项所述的芯片封装体。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请中的芯片封装体包括：图案化的金属基材板，其中，金属基材板中设置有第一通孔；芯片，设置在第一通孔中；第一绝缘层，覆盖在芯片和金属基材板上，并填充所述第一通孔，其中，第一绝缘层中设置有第二通孔以裸露出部分的金属基材板和芯片；图案化的第一导电层，设置在第一绝缘层上和通孔内，以使芯片藉由第一导电层而连接至金属基材板。通过上述方式，本申请中的芯片封装体能够实现芯片的双面散热，且结构较为简单，电气路径和散热路径短，具有优异的低阻特性和散热效果，能够实现芯片封装体的小型化和轻薄化。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：