[实用新型]VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备

权利要求书

1.一种VDMOS器件，所述VDMOS用于控制电池的充电电流与放电电流，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为第一导电类型；

外延层，所述外延层设置在所述衬底上并且为第一导电类型；

第一元胞结构区，所述第一元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成用作充电开关的充电MOSFET；

第二元胞结构区，所述第二元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成用作放电开关的放电MOSFET；以及

第三元胞结构区，所述第三元胞结构区包括形成在所述外延层中的元胞结构，以构成采样MOSFET，所述采样MOSFET用于采集流过所述充电MOSFET和所述放电MOSFET的电流。

2.如权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，第三元胞结构区中元胞结构的数量、与所述第一元胞结构区和第二元胞区结构中的元胞结构的数量的比例为1：K，其中K≥2。

3.如权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述充电MOSFET及放电MOSFET被构造成二者的漏极相连。

4.如权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第三元胞结构区及所述采样MOSFET的数量为一个，并且所述采样MOSFET的源极构造成与所述充电MOSFET的源极或与所述放电MOSFET的源极相连，所述采样MOSFET的漏极构造成充电电流或放电电流的采样端。

5.如权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第三元胞结构区及所述采样MOSFET的数量为两个，并且一个采样MOSFET与另一采样MOSFET的漏极相连，并且两个采样MOSFET中的所述一个采样MOSFET的源极构造成与所述充电MOSFET的源极或与所述放电MOSFET的源极相连，所述另一采样MOSFET的源极构造成充电电流或放电电流的采样端。

6.如权利要求5所述的VDMOS器件，其特征在于，还包括阱电阻结构来构成阱电阻，所述阱电阻的一端构造成与所述另一采样MOSFET的源极相连，并且所述阱电阻的另一端构造成与所述放电MOSFET的源极或与所述充电MOSFET的源极相连，所述阱电阻的一端构造成放电电流或充电电流的采样端。

7.如权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述第三元胞结构区及所述采样MOSFET的数量为四个，其中

四个采样MOSFET中的两个采样MOSFET中，一个采样MOSFET与另一采样MOSFET的漏极相连，该一个采样MOSFET的源极构造成与所述充电MOSFET的源极相连，该另一个采样MOSFET的源极构造成充电电流采样端；以及

四个采样MOSFET中的其他两个采样MOSFET中，一个采样MOSFET与另一采样MOSFET的漏极相连，该一个采样MOSFET的源极构造成与所述放电MOSFET的源极相连，该另一个采样MOSFET的源极构造成放电电流采样端。

8.如权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，还包括两个阱电阻结构来形成两个阱电阻，所述第三元胞结构区及所述采样MOSFET的数量为两个，并且一个采样MOSFET与另一采样MOSFET的漏极相连，所述一个采样MOSFET的源极构成与一个阱电阻的一端连接，而该一个阱电阻的另一端构造成与充电MOSFET的源极连接，另一阱电阻的一端构造成与所述另一采样MOSFET的源极连接，而所该另一阱电阻的另一端构造成与所述放电MOSFET的源极连接，该一个阱电阻的一端为充电电流采样端，该另一阱电阻的一端为放电电流采样端。

9.如权利要求1至8中任一项所述的VDMOS器件，其特征在于，每个元胞结构包括：

两个沟槽，所述两个沟槽中均设置有栅氧化层、多晶硅及位于多晶硅之上的介质层；

第一阱区，所述第一阱区为第二导电类型，并且位于所述两个沟槽之间且位于所述外延层之上；以及

重掺杂区，所述重掺杂区位于所述第一阱区之上并且位于所述两个沟槽之间，所述重掺杂区为第一导电类型。