[实用新型]能双面散热的功率半导体器件老化座装置

权利要求书

1.一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：包括能支撑功率半导体器件(20)的座体下盖(3)以及能与座体下盖(3)对应的座体上盖(1)，在所述座体上盖(1)设置上盖散热器(2)，在座体下盖(3)上设置下盖散热器(4)；

通过座体上盖(1)能将支撑在座体下盖(3)上的功率半导体器件(20)压紧在所述座体下盖(3)上，且座体上盖(1)通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖(3)相互锁紧；功率半导体器件(20)压紧在座体上盖(1)与座体下盖(3)间时，功率半导体器件(20)的器件端子能位于所述座体上盖(1)、座体下盖(3)相对应的外侧，通过上盖散热器(2)、下盖散热器(4)能对功率半导体器件(20)进行散热。

2.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述座体上盖(1)的一端与座体下盖(3)的一端相铰接，座体上盖(1)的另一端通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖(3)的另一端相互锁定；

还包括设置于座体上盖(1)内的上盖导热片(5)以及设置于座体下盖(3)内的下盖导热片(6)，功率半导体器件(20)压紧在座体上盖(1)与座体下盖(3)间时，上盖散热器(2)通过上盖导热片(5)能与功率半导体器件(20)的一表面接触，下盖散热器(4)通过下盖导热片(6)能与功率半导体器件(20)的另一表面接触。

3.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：在所述座体下盖(3)上设置若干器件限位块(14)，功率半导体器件(20)置于座体下盖(3)时，利用器件限位块(14)能对置于座体下盖(3)上的功率半导体器件(20)进行限位。

4.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述盖体限位锁紧机构包括设置于座体上盖(1)端部的锁扣机构(11)以及设置于座体下盖(3)端部的锁舌机构，锁扣机构(11)能与锁舌机构适配连接；

锁舌机构包括与座体下盖(3)固定连接的锁舌支架(15)以及设置于所述锁舌支架(15)内的锁舌体(16)，锁扣机构(11)能卡扣在所述锁舌体(16)上，且通过锁扣机构(11)与锁舌体(16)间的连接能使得座体上盖(1)与座体下盖(3)间相互锁定。

5.根据权利要求4所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述锁扣机构(11)包括锁扣连板(25)以及设置于所述锁扣连板(25)两端的锁扣板(26)，在所述锁扣板(26)上设置能与锁舌体(16)适配的扣板槽(12)，锁扣板(26)通过扣板槽(12)能卡扣在锁舌体(16)上，且锁扣板(26)能与锁舌体(16)相互分离。

6.根据权利要求5所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述锁舌体(16)能在锁舌支架(15)内转动，锁舌体(16)上设置能驱动所述锁舌体(16)转动的锁舌定位柱(17)；

在锁扣连板(25)上设置柱体定位板(28)，在所述柱体定位板(28)的端部设置能允许锁舌定位柱(17)嵌置的柱体定位板孔(29)，锁舌定位柱(17)嵌置在柱体定位板孔(29)内后，利用锁舌定位柱(17)与柱体定位板(28)配合能对锁舌体(16)在锁舌支架(15)内的转动进行限位。

7.根据权利要求6所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述锁舌体(16)的两端设置限位扣环(19)，所述限位扣环(19)位于锁舌支架(15)的外侧；锁舌体(16)呈圆柱状，在锁舌体(16)上设置舌体卡槽(30)，锁扣板(26)卡扣在锁舌体(16)上时，舌体卡槽(30)与扣板槽(12)正对应。

8.根据权利要求1所述的能双面散热的功率半导体器件老化座装置，其特征是：所述盖体限位锁紧机构包括设置于座体上盖(1)上的上盖锁定连板(37)以及设置于座体下盖(3)上的下盖锁定连板(38)，座体上盖(1)压盖在座体下盖(3)上时，上盖锁定连板(37)位于下盖锁定连板(38)的正上方；上盖锁定连板(37)通过锁定连板螺栓(39)与下盖锁定连板(38)相互连接锁定。