[实用新型]能双面散热的功率半导体器件老化座装置有效

专利信息
申请号: 202022164128.5 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN213210350U 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 孙元鹏;梁林杰;宋志威;张文亮 申请(专利权)人: 山东阅芯电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/00;G01R1/04;H05K7/20
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 264315 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 双面 散热 功率 半导体器件 老化 装置
【说明书】:

本实用新型涉及一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。其包括座体下盖以及座体上盖,在所述座体上盖设置上盖散热器,在座体下盖上设置下盖散热器;通过座体上盖能将支撑在座体下盖上的功率半导体器件压紧在所述座体下盖上,且座体上盖通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖相互锁紧;功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时,功率半导体器件的器件端子能位于所述座体上盖、座体下盖相对应的外侧,通过上盖散热器、下盖散热器能对功率半导体器件进行散热。本实用新型对老化试验中的功率半导体器件能进行双面散热,提高散热速度,确保功率半导体器件在老化试验中的可靠性,结构紧凑,使用简单,安全可靠。

技术领域

本实用新型涉及一种老化座装置,尤其是一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置。

背景技术

老化试验为半导体器件品质评估所使用的一类试验方法,通常是将被测器件放置在严酷的环境中,评估半导体器件在该环境中的使用寿命。例如功率半导体器件可靠性测试常用的HTGB、HTRB、H3TRB试验。

在对功率半导体器件进行老化试验时,需要将被测的功率半导体器件安装到老化板上,在保证被测的功率半导体器件固定在老化板上的同时,也要保证被测功率半导体器件与老化板的电学连接。要完成被测的功率半导体器件与老化板的可靠电学连接,老化座就起到了电学连接和机械固定的作用。

对于分立的功率半导体器件,在市场上已经可以购买到成熟的高温老化座,但有的功率半导体器件的发热量大,对散热要求较高。常规带散热功能的老化座大多是单面散热的,散热效率有限,难以满足具体进行老化试验中的散热需求。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种能双面散热的功率半导体器件老化座装置,其对老化试验中的功率半导体器件能进行双面散热,提高散热速度,确保功率半导体器件在老化试验中的可靠性,结构紧凑,使用简单,安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案,所述能双面散热的功率半导体器件老化座装置,包括能支撑功率半导体器件的座体下盖以及能与座体下盖对应的座体上盖,在所述座体上盖设置上盖散热器,在座体下盖上设置下盖散热器;

通过座体上盖能将支撑在座体下盖上的功率半导体器件压紧在所述座体下盖上,且座体上盖通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖相互锁紧;功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时,功率半导体器件的器件端子能位于所述座体上盖、座体下盖相对应的外侧,通过上盖散热器、下盖散热器能对功率半导体器件进行散热。

所述座体上盖的一端与座体下盖的一端相铰接,座体上盖的另一端通过盖体限位锁紧机构能与座体下盖的另一端相互锁定;

还包括设置于座体上盖内的上盖导热片以及设置于座体下盖内的下盖导热片,功率半导体器件压紧在座体上盖与座体下盖间时,上盖散热器通过上盖导热片能与功率半导体器件的一表面接触,下盖散热器通过下盖导热片能与功率半导体器件的另一表面接触。

在所述座体下盖上设置若干器件限位块,功率半导体器件置于座体下盖时,利用器件限位块能对置于座体下盖上的功率半导体器件进行限位。

所述盖体限位锁紧机构包括设置于座体上盖端部的锁扣机构以及设置于座体下盖端部的锁舌机构,锁扣机构能与锁舌机构适配连接;

锁舌机构包括与座体下盖固定连接的锁舌支架以及设置于所述锁舌支架内的锁舌体,锁扣机构能卡扣在所述锁舌体上,且通过锁扣机构与锁舌体间的连接能使得座体上盖与座体下盖间相互锁定。

所述锁扣机构包括锁扣连板以及设置于所述锁扣连板两端的锁扣板,在所述锁扣板上设置能与锁舌体适配的扣板槽,锁扣板通过扣板槽能卡扣在锁舌体上,且锁扣板能与锁舌体相互分离。

所述锁舌体能在锁舌支架内转动,锁舌体上设置能驱动所述锁舌体转动的锁舌定位柱;

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