[实用新型]钛基板连续镀金属硫化物的装置

说明书

本实用新型公开了一种用于钛基板连续镀金属硫化物的设备，属于镀膜设备技术领域。包括真空箱体(10)，箱体(10)内设置有托辊组(2)，托辊组(2)的上方左侧和右侧分别设置有喷头A(4)和喷头B(5)，喷头A(4)和喷头B(5)均成直线排布，且喷涂宽度不大于单个托辊的长度，喷头A(4)和喷头B(5)喷射方向的交点位于托辊组(2)的下侧。本装置将镀层金属和硫分别经过高能热源和普通热源加热融化或蒸发，在负压高速气体的推动下经过喷嘴产生纳米喷雾，并且在同一平面相遇，经反应后沉积在基板表面形成镀膜。解决现有的连续性气相沉积金属硫化物的生产设备存在镀膜颗粒粗大，硫污染设备内部腔壁等问题。

技术领域

本实用新型公开了一种钛基板连续镀金属硫化物的装置，属于镀膜设备技术领域。

背景技术

化学气相沉积简称CVD是利用气态物质在一固体表面进行化学反应，生成固态沉积物的过程。是近十几年发展起来的制备无机物新材料的新技术。它广泛的应用于提纯物质，制备新晶体，特别是用于制备导体、半导体或者介电的单晶、多晶或者玻璃态涂层或者薄膜。然而，现有的化学气相沉积设备大多体积庞大、构造复杂、造价昂贵。同时在生产镀膜的过程中，现有的连续性气相沉积金属硫化物生产设备存在镀膜颗粒粗大，硫对设备腔体内部污染较大，难以清洁等问题。而且随着科学技术的发展，现有的连续性气相沉积金属硫化物设备存在生产速度较慢，生产速度不满足需求等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有的连续性气相沉积金属硫化物的生产设备存在镀膜颗粒粗大，生产速度较慢的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：钛基板连续镀金属硫化物的装置，包括真空箱体，箱体内设置有托辊组，托辊组的上方左侧设置有若干用于喷涂金属的喷头A，右侧设置有若干用于喷涂硫的喷头B，喷头A和喷头B的喷射方向朝向托辊组，喷头A和喷头B均成直线排布，且喷涂宽度不大于单个托辊的长度，喷头A和喷头B喷射方向的交点位于托辊组的下侧。

其中，上述装置中所述喷头A的进料管上设置有高能热源，喷头B5的进料管上设置有普通热源。

进一步，上述装置中所述喷头A的进料管包括交汇的金属注入管和保护气管，高能热源设置在金属注入管上。

其中，上述装置中所述喷头A和喷头B的喷射角度均可改变。

进一步，上述装置中还包括喷头喷射角度控制器，所述喷头A和喷头B的喷射角度均由喷头喷射角度控制器控制。

其中，上述装置中所述喷头A和喷头B的进料管为高温耐热管制成。

其中，上述装置中所述喷头A和喷头B的进料管上均设置有进料阀，且托辊组由变频电机驱动，进料阀为电磁阀并与变频电机电连接。

本实用新型的有益效果是：本装置结构简单，制作简便。本装置将镀层金属和硫分别经过高能热源和普通热源加热融化或蒸发，在负压高速气体的推动下经过喷嘴产生纳米喷雾，两种镀材分别单独放置，经不同喷嘴喷出雾化，并且在同一平面相遇，经反应后沉积在基板表面形成镀膜。本实用新型能够对基板进行快速镀膜。并且形成镀膜的颗粒细小均匀，硫污染对设备内部污染较轻，并且便于清洁。

附图说明

图1为本实用新型初始状态的结构示意图；

图2为本实用新型开始喷涂金属的结构示意图；

图3为本实用新型镀金属硫化物的结构示意图。

图中标记为：1是钛基板，2是托辊组，3是金属镀层，4是喷头A，5是喷头B，6是喷头喷射角度控制器，8是进料阀，9是进料管，10是箱体，11是金属硫化物镀层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步说明。