[实用新型]一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台

权利要求书

1.一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，包括：

平台本体(1)；

基板凹槽(2)，设置在所述平台本体(1)的上表面，所述基板凹槽(2)的底部设置若干个阵列排布的负压吸口(21)；

真空管路，设置在所述平台本体(1)内，所述真空管路位于所述基板凹槽(2)的下方，每个所述负压吸口(21)与所述真空管路连接，所述真空管路对外通过软管与真空装置连接。

2.根据权利要求1所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述负压吸口(21)通过竖向管道与所述真空管路连通，所述竖向管道的一端与所述负压吸口(21)连接，所述竖向管道的另一端与所述真空管路连接。

3.根据权利要求1所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述真空管路包括真空管网(31)以及至少一个独立管道(32)，所述真空管网(31)包括若干相互连通的横向管道(311)以及纵向管道(312)，所述独立管道(32)与所述横向管道(311)或所述纵向管道(312)平行。

4.根据权利要求3所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述负压吸口(21)位于所述横向管道(311)与所述纵向管道(312)交叉位置的上方。

5.根据权利要求4所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述平台本体(1)上设有第一出气口(11)，所述第一出气口(11)穿过所述平台本体(1)的侧壁与所述真空管网(31)连接。

6.根据权利要求3所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述独立管道(32)位于所述基板凹槽(2)的边缘，所述独立管道(32)与所述基板凹槽(2)边缘的所述负压吸口(21)连通。

7.根据权利要求6所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述平台本体(1)上设有第二出气口(12)，所述第二出气口(12)穿过所述平台本体(1)的侧壁与所述独立管道(32)连通。

8.根据权利要求1所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述平台本体(1)上设有四个手持凹槽(13)，所述手持凹槽(13) 两两相对设于所述平台本体(1)的侧壁上。

9.根据权利要求3所述的用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，其特征在于，所述横向管道(311)的轴线、所述纵向管道(312)的轴线以及所述独立管道(32)的轴线共面。