[实用新型]一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台

说明书

本实用新型提供了一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，包括：平台本体；基板凹槽，设置在所述平台本体的上表面，所述基板凹槽的底部设置若干个阵列排布的负压吸口；真空管路，设置在所述平台本体内，所述真空管路位于所述基板凹槽的下方，每个所述负压吸口与所述真空管路连接，所述真空管路对外通过软管与真空装置连接。本实用新型的一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，真空装置与所述平台本体内的真空管路连接，可实现所述基板凹槽内底面的负压吸口形成负压，进而将容置在所述基板凹槽内的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽内，进而将翘曲变形的基板展平，避免了基板翘曲变形产生的锡膏厚度测量不准的技术问题，提高了检测精度。

技术领域

本实用新型涉及芯片检测技术领域，具体涉及一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台。

背景技术

因为电子器元件的粘附力目前难以测量，电子器元件通过锡膏粘附在芯片上表面，因此可通过锡膏的厚度预测下电子器元件的粘附状况，现有锡膏测厚过程为，先测量电子器元件顶部离芯片上表面的总距离，后用总距离减去电子器元件的高度，获得锡膏厚度。但是由于承载芯片的基板翘曲变形会影响测量的准确率，采用此方法获得的锡膏厚度不准，无法确保电子器元件的粘附力。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，真空装置与所述平台本体内的真空管路连接，可实现所述基板凹槽内底面的负压吸口形成负压，进而将容置在所述基板凹槽内的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽内，进而将翘曲变形的基板展平，避免了基板翘曲变形产生的锡膏厚度测量不准的技术问题，提高了检测精度。

为了实现以上目的，本实用新型采取的一种技术方案是：

一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，包括：平台本体；基板凹槽，设置在所述平台本体的上表面，所述基板凹槽的底部设置若干个阵列排布的负压吸口；真空管路，设置在所述平台本体内，所述真空管路位于所述基板凹槽的下方，每个所述负压吸口与所述真空管路连接，所述真空管路对外通过软管与真空装置连接。

进一步地，所述负压吸口通过竖向管道与所述真空管路连通，所述竖向管道的一端与所述负压吸口连接，所述竖向管道的另一端与所述真空管路连接。

进一步地，所述真空管路包括真空管网以及至少一个独立管道，所述真空管网包括若干相互连通的横向管道以及纵向管道，所述独立管道与所述横向管道或所述纵向管道平行。

进一步地，所述负压吸口位于所述横向管道与所述纵向管道交叉位置的上方。

进一步地，所述平台本体上设有第一出气口，所述第一出气口穿过所述平台本体的侧壁与所述真空管网连接。

进一步地，所述独立管道位于所述基板凹槽的边缘，所述独立管道与所述基板凹槽边缘的所述负压吸口连通。

进一步地，所述平台本体上设有第二出气口，所述第二出气口穿过所述平台本体的侧壁与所述独立管道连通。

进一步地，所述平台本体上设有四个手持凹槽，所述手持凹槽两两相对设于所述平台本体的侧壁上。

进一步地，所述横向管道的轴线、所述纵向管道的轴线以及所述独立向管道的轴线共面。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本实用新型的一种用于芯片锡膏厚度检测的真空测厚平台，真空装置与所述平台本体内的真空管路连接，可实现所述基板凹槽内底面的负压吸口形成负压，进而将容置在所述基板凹槽内的基板牢牢地吸附在所述基板凹槽内，进而将翘曲变形的基板展平，避免了基板翘曲变形产生的锡膏厚度测量不准的技术问题，提高了检测精度。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其有益效果显而易见。