[实用新型]垂直结构LED芯片

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

金属衬底，所述金属衬底的厚度为80um～150um；

外延层，位于所述金属衬底的第一表面，包括两个半导体层及位于两个所述半导体层之间的发光层；

金属应力调整层，位于所述金属衬底的第二表面，并通过所述金属衬底与一个所述半导体层电性连接以作为第一电极，所述金属应力调整层的材料与所述金属衬底的材料不同；以及，

焊盘，与另一个所述半导体层电性连接以作为第二电极。

2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属应力调整层的厚度为0.5um～10um。

3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述外延层上还形成有外延应力调整层，所述外延应力调整层的厚度为0.2um～1um。

4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，两个所述半导体层分别为N型半导体层及P型半导体层，所述P型半导体层较所述N型半导体层更靠近所述金属衬底，所述第一电极为P电极，所述第二电极为N电极。

5.如权利要求4所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述焊盘位于所述N型半导体层上并与所述N型半导体层电性连接，所述金属应力调整层通过所述金属衬底与所述P型半导体层电性连接。

6.如权利要求5所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上还形成有N型接触层，所述焊盘位于所述N型接触层上，并通过所述N型接触层与所述N型半导体层电性连接。

7.如权利要求4所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属衬底与所述P型半导体层之间还形成有由下至上依次堆叠的反射镜层及P型接触层，所述金属衬底通过所述反射镜层及所述P型接触层与所述P型半导体层电性连接。

8.如权利要求7所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属衬底与所述反射镜层之间还具有键合层。

9.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，两个所述半导体层分别为N型半导体层及P型半导体层，所述P型半导体层较所述N型半导体层更靠近所述金属衬底，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

10.如权利要求9所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属衬底与所述N型半导体层之间还形成有由下至上依次堆叠的导电层及绝缘层，所述外延层中具有多个N通孔；

所述N通孔贯穿所述P型半导体层及所述发光层并暴露出所述N型半导体层，所述绝缘层还覆盖所述N通孔的侧壁及部分底壁，所述导电层还填充所述N通孔，所述金属衬底通过所述导电层与所述N型半导体层电性连接；以及，

所述外延层中具有贯穿的开口，所述焊盘位于所述开口中并与所述P型半导体层电性连接。

11.如权利要求10所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述N通孔内还形成有N型接触层，所述N型接触层与所述N型半导体层电性连接，所述导电层通过所述N型接触层与所述N型半导体层电性连接；以及，

所述绝缘层上还形成有由下至上依次堆叠的反射镜层及P型接触层，所述焊盘通过所述P型接触层与所述P型半导体层电性连接。

12.如权利要求10所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属衬底与所述导电层之间还具有键合层。

13.如权利要求4-12中任一项所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，还包括钝化保护层，位于所述N型半导体层上并整面覆盖所述垂直结构LED芯片，所述钝化保护层还暴露出所述焊盘的至少部分顶面。