[实用新型]承载装置及具有其的芯片转移系统有效
申请号: | 202022175713.5 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN213483724U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 李欣曈;洪温振 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 具有 芯片 转移 系统 | ||
本实用新型涉及一种承载装置及具有其的芯片转移系统。该承载装置包括:基板,基板中具有待转移的芯片一一对应的多个孔道,孔道间隔排列用于在芯片转移过程中容纳芯片。采用本实用新型的上述承载装置,在芯片转移过程中,通过在承载装置的孔道底部设置未硬化的热塑性材料,并将生长基板上的芯片转移至孔道中,然后将孔道中的热塑性材料硬化,可以将芯片先固定于承载装置的孔道中,然后再采用转移装置固定芯片,并将热塑性材料软化,使芯片转移至转移装置上,从而能够代替现有技术实现芯片转移的弱化结构,在转移过程中芯片不易位移,简单易取,且上述承载装置的制备工艺简单,可以采用成本低廉的材料制备而成,还能够重复使用。
技术领域
本实用新型涉及芯片转移技术领域,尤其涉及一种承载装置及具有其的芯片转移系统。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)显示技术业界目前瓶颈主要在于芯片制作,巨量转移,全彩化显示等。而在巨量转移技术上,因一次转移百万量级芯片用传统技术效率低下。现在业内主流为利用静电吸附、磁力吸附、真空吸附、凡得瓦力印刷、胶材粘合、流体装配等技术进行大量芯片转移。其中,凡得瓦力印刷应用较多,凡得瓦力印刷技术是利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)材质为介质制作凸块,用PDMS 产生的微粘性进行选择性转移。因材料只具有极为微小的粘性,故目前业界开发出一种弱化结构,该结构可固定芯片不位移,但是PDMS的微小粘性可将之黏附。
然而,上述弱化结构存在制备工艺复杂、成本较高且无法重复使用的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种承载装置及具有其的芯片转移系统,旨在解决现有技术中用于转移芯片的弱化结构存在制备工艺复杂、成本较高且无法重复使用的问题。
一种用于芯片转移的承载装置,其包括:
基板,基板中具有与待转移的芯片一一对应的多个孔道,孔道间隔排列,用于在芯片转移过程中容纳芯片。
采用本实用新型的上述承载装置,在芯片转移过程中,通过在承载装置的孔道底部设置未硬化的热塑性材料,并将生长基板上的芯片转移至孔道中,然后将孔道中的热塑性材料硬化,可以将芯片先固定于承载装置的孔道中,然后再采用转移装置固定芯片,并将热塑性材料软化,使芯片转移至转移装置上,从而能够代替现有技术实现芯片转移的弱化结构,在转移过程中芯片不易位移,简单易取,且上述承载装置的制备工艺简单,可以采用成本低廉的材料制备而成,还能够重复使用。
可选地,孔道具有连通的第一孔段和第二孔段,第一孔段与基板的第一表面连通,第二孔段位于第一孔段远离第一表面的一侧,在平行于第一表面的方向上,第一孔段的任意截面尺寸小于第二孔段的任意截面尺寸。通过将孔道分为下宽上窄的两个孔段,能够将热塑性材料放入下面具有较大宽度的第二孔段中,并使上面的具有较小宽度的第一孔段与芯片的尺寸相比配,在将芯片拆入孔道后,第二孔段中的热塑性材料能够更好地将芯片的端部进行包裹,从而使热塑性材料在硬化后能够实现对芯片更好地固定,第一孔段由于与芯片的尺寸匹配,从而能够防止第二孔段中的热塑性材料从孔道中溢出。
可选地,第一孔段和第二孔段分别垂直于第一表面的中轴线重合。具有上述结构的孔道在芯片插入后能够实现对芯片端部更好地包裹,从而进一步提高了硬化后热塑性材料对芯片的固定效果。
可选地,在平行于第一表面的方向上,第一孔段的任意截面面积与第二孔段的任意截面面积的比值为0.5~1。通过合理调整第一孔段与第二孔段的横截面之间的面积比,能够实现对芯片更好地固定。
可选地,在垂直于第一表面的方向上,第一孔段的深度与第二孔段的深度的比值为1~2。通过合理调整第一孔段与第二孔段的深度比,能够实现对芯片更好地固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造