[实用新型]一种适用于高速DAC的电流开关驱动器有效
申请号: | 202022190646.4 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN212543759U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 段吉海;黄秀玲;韦保林;徐卫林;韦雪明;岳宏卫 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/06 | 分类号: | H03M1/06;H03M1/74 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 高速 dac 电流 开关 驱动器 | ||
1.一种适用于高速DAC的电流开关驱动器,其特征是,由同步锁存电路、限幅低交叉电路和电流开关电路组成;
同步锁存电路的采样时钟信号CLK的输入端输入采样时钟信号CLK;同步锁存电路的输入信号VIN的输入端输入输入信号VIN;
同步锁存电路的同步锁存信号DP的输出端与限幅低交叉电路的同步锁存信号DP的输入端连接;同步锁存电路的同步锁存信号DN的输出端与限幅低交叉电路的同步锁存信号DN的输入端连接;
限幅低交叉电路的开关驱动信号DSP的输出端与电流开关电路的开关驱动信号DSP的输入端连接;限幅低交叉电路的开关驱动信号DSN的输出端与电流开关电路的开关驱动信号DSN的输入端连接;
电流开关电路的输出信号OUTP的输出端输出输出信号OUTP;电流开关电路的输出信号OUTN的输出端输出输出信号OUTN。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高速DAC的电流开关驱动器,其特征是,
同步锁存电路包括PMOS晶体管P1、P2,以及反相器INV1至INV7;
PMOS晶体管P1的栅极连接PMOS晶体管P2的栅极,并形成同步锁存电路的采样时钟信号CLK的输入端;
反相器INV1的输入端连接反相器INV3的输入端,并形成同步锁存电路的输入信号VIN的输入端;
反相器INV1的输出端经由反相器INV2连接PMOS晶体管P1的源极;反相器INV3的输出端连接PMOS晶体管P2的漏极;
PMOS晶体管P1的漏极、反相器INV4的输入端、反相器INV5的输出端和反相器INV6的输入端相连;反相器INV6的输出端形成同步锁存电路的同步锁存信号DP的输出端;
PMOS晶体管P2的源极、反相器INV4的输出端、反相器INV5的输入端和反相器INV7的输入端相连;反相器INV7的输出端形成同步锁存电路的同步锁存信号DN的输出端。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高速DAC的电流开关驱动器,其特征是,
限幅低交叉电路包含PMOS晶体管P3至P6,以及NMOS晶体管N1至N4;
PMOS晶体管P3的栅极连接NMOS晶体管N1的栅极,并形成限幅低交叉电路的同步锁存信号DP的输入端;
PMOS晶体管P3的漏极、NMOS晶体管N1的漏极、NMOS晶体管N3的漏极、PMOS晶体管P5的漏极和PMOS晶体管P5的栅极相连后,形成限幅低交叉电路的开关驱动信号DSP的输出端;
PMOS晶体管P4的栅极连接NMOS晶体管N2的栅极,并形成限幅低交叉电路的同步锁存信号DN的输入端;
PMOS晶体管P4的漏极、NMOS晶体管N2的漏极、NMOS晶体管N4的漏极、PMOS晶体管P6的漏极和PMOS晶体管P6的栅极相连后,形成限幅低交叉电路的开关驱动信号DSN的输出端;
PMOS晶体管P3的源极、NMOS晶体管N3的源极和栅极、PMOS晶体管P4的源极、以及NMOS晶体管N4的源极和栅极同时连接电源VDD;
NMOS晶体管N1的源极、PMOS晶体管P5的源极、NMOS晶体管N2的源极、以及PMOS晶体管P6的源极同时连接地GND。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高速DAC的电流开关驱动器,其特征是,
电流开关电路包含PMOS晶体管P7、P8,电阻R1、R2,以及电流源;
PMOS晶体管P7的栅极形成电流开关电路的开关驱动信号DSP的输入端;PMOS晶体管P7的源极连接电阻R1的一端,并形成电流开关电路的输出信号OUTP的输出端;
PMOS晶体管P8的栅极形成电流开关电路的开关驱动信号DSN的输入端;PMOS晶体管P8的源极连接电阻R2的一端,并形成电流开关电路的输出信号OUTN的输出端;
PMOS晶体管P7的漏极和PMOS晶体管P8的漏极相连后,经由电流源连接电源VDD;
电阻R1的另一端和电阻R2的另一端同时接地GND。
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