[实用新型]一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线有效

专利信息
申请号: 202022199643.7 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212848740U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 薛谦忠;杨少朋 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: H01P3/00 分类号: H01P3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙蕾
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 人工 表面 等离子体 sspp 传输线
【权利要求书】:

1.一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线,其特征在于,包括:

介质基片;

位于所述介质基片一侧的人工表面等离子体激元;

位于所述介质基片另一侧的金属层,所述金属层用于接地;

其中,所述人工表面等离子体激元包括:

用于传输SSPP波的直角凹槽阵列结构、用于使SSPP波的电场发生偏转的斜角凹槽阵列结构,以及设置于所述直角凹槽阵列结构与所述斜角凹槽阵列结构之间的第一过渡凹槽阵列结构,所述斜角凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向与所述直角凹槽阵列结构中的直角凹槽的延伸方向之间具有锐角夹角。

2.根据权利要求1所述的传输线,其特征在于,所述第一过渡凹槽阵列结构中包括多个延伸方向不同的斜角凹槽,且沿着靠近所述斜角凹槽阵列结构的方向,所述第一过渡凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向与所述斜角凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向之间的夹角逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的传输线,其特征在于,还包括:

馈电结构;

设置于所述馈电结构与所述直角凹槽阵列结构之间的第二过渡凹槽阵列结构,所述第二过渡凹槽阵列结构包括多个不同深度的直角凹槽,且沿着靠近所述直角凹槽阵列结构的方向,所述第二过渡凹槽阵列结构中的直角凹槽的深度逐渐增加。

4.根据权利要求3所述的传输线,其特征在于,所述直角凹槽阵列结构包括多个深度相同的直角凹槽,且所述直角凹槽阵列结构中的直角凹槽的深度大于等于所述第二过渡凹槽阵列结构中深度最大的直角凹槽的深度。

5.根据权利要求3所述的传输线,其特征在于,在所述斜角凹槽阵列结构的两侧,且沿着远离所述斜角凹槽阵列结构的方向,依次设置所述第一过渡凹槽阵列结构、直角凹槽阵列结构、第二过渡凹槽阵列结构以及所述馈电结构。

6.根据权利要求3所述的传输线,其特征在于,所述馈电结构为微带线结构,或共面波导馈电结构。

7.根据权利要求1所述的传输线,其特征在于,所述锐角夹角为大于0°且小于等于60°。

8.根据权利要求1所述的传输线,其特征在于,所述锐角夹角为45°。

9.一种基站结构,其特征在于,包含权利要求1-8中任一项所述的传输线。

10.一种雷达结构,其特征在于,包含权利要求1-8中任一项所述的传输线。

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