[实用新型]一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线有效

专利信息
申请号: 202022199643.7 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212848740U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 薛谦忠;杨少朋 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: H01P3/00 分类号: H01P3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙蕾
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
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【说明书】:

一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线,包括介质基片;位于所述介质基片一侧的人工表面等离子体激元;位于所述介质基片另一侧的金属层,所述金属层用于接地;其中,所述人工表面等离子体激元包括:用于传输SSPP波的直角凹槽阵列结构、用于使SSPP波的电场发生偏转的斜角凹槽阵列结构,以及设置于所述直角凹槽阵列结构与所述斜角凹槽阵列结构之间的第一过渡凹槽阵列结构,所述斜角凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向与所述直角凹槽阵列结构中的直角凹槽的延伸方向之间具有锐角夹角。本实用新型提供的传输线可以实现多极化和小型化。

技术领域

本实用新型涉及人工表面等离子体激元技术领域,具体涉及一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线。

背景技术

人工表面等离子体激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPP)通过在金属表面周期性的刻蚀孔洞,能够使金属在微波和太赫兹频段传输类似于光波段表面等离子体激元的表面波,从而使表面等离子体激元的应用范围大大提升。随着二维平面型人工表面等离子体激元的提出,使其由原来的三维立体结构变为二维平面结构,为微波电路的集成开辟了一条崭新的道路。但是现有的基于人工表面等离子体激元的传输线都是单一极化模式,难以实现多极化,并且在横向方向上的尺寸较大,难以实现器件的小型化。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线,以实现电磁波的多极化,并减小器件在横向方向上的尺寸。

为达到上述目的,本实用新型提供一种基于人工表面等离子体激元SSPP的传输线,包括:

介质基片;

位于所述介质基片一侧的人工表面等离子体激元;

位于所述介质基片另一侧的金属层,所述金属层用于接地;

其中,所述人工表面等离子体激元包括:

用于传输SSPP波的直角凹槽阵列结构、用于使SSPP波的电场发生偏转的斜角凹槽阵列结构,以及设置于所述直角凹槽阵列结构与所述斜角凹槽阵列结构之间的第一过渡凹槽阵列结构,所述斜角凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向与所述直角凹槽阵列结构中的直角凹槽的延伸方向之间具有锐角夹角。

在一实施例中,所述第一过渡凹槽阵列结构中包括多个延伸方向不同的斜角凹槽,且沿着靠近所述斜角凹槽阵列结构的方向,所述第一过渡凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向与所述斜角凹槽阵列结构中的斜角凹槽的延伸方向之间的夹角逐渐减小。

在一实施例中,所述传输线还包括:

馈电结构;

设置于所述馈电结构与所述直角凹槽阵列结构之间的第二过渡凹槽阵列结构,所述第二过渡凹槽阵列结构包括多个不同深度的直角凹槽,且沿着靠近所述直角凹槽阵列结构的方向,所述第二过渡凹槽阵列结构中的直角凹槽的深度逐渐增加。

在一实施例中,所述直角凹槽阵列结构包括多个深度相同的直角凹槽,且所述直角凹槽阵列结构中的直角凹槽的深度大于等于所述第二过渡凹槽阵列结构中深度最大的直角凹槽的深度。

在一实施例中,在所述斜角凹槽阵列结构的两侧,且沿着远离所述斜角凹槽阵列结构的方向,依次设置所述第一过渡凹槽阵列结构、直角凹槽阵列结构、第二过渡凹槽阵列结构以及所述馈电结构。

在一实施例中,所述馈电结构为微带线结构,或共面波导馈电结构。

在一实施例中,所述锐角夹角为大于0°且小于等于60°。

在一实施例中,所述锐角夹角为45°。

本实用新型还提供一种基站结构,包含上述传输线。

本实用新型还提供一种雷达结构,包含上述传输线。

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