[实用新型]一种玻璃钝化实体封装低压二极管

说明书

本实用新型公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。

技术领域

本实用新型涉及一种玻璃钝化实体封装低压二极管，属于二极管技术领域。

背景技术

玻璃钝化实体封装二极管以其体积小、高温稳定性好、抗辐照能力强、可靠性高、成本低等优势，广泛应用于中高端领域。但传统的扩散、外延、离子注入等制造工艺只能获得6V以上的玻璃钝化实体封装二极管，不能制得6V以下的低压二极管。主要原因是采用扩散、外延、离子注入等制造工艺获得的6V以下的低压二极管管芯，其结深非常浅，一般小于5μm，目的是获得很大的浓度梯度。但是，后续高温烧焊引线及玻璃钝化实体封装过程中，因管芯PN结结深太浅，烧焊及玻璃钝化时，焊接金属会穿越PN结，导致PN结短路，不能获得6V以下的低压玻璃钝化实体封装二极管。所以，采用传统制造工艺难以获得6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种玻璃钝化实体封装低压二极管。

本实用新型通过以下技术方案得以实现：

一种玻璃钝化实体封装低压二极管，包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。

所述硅片A为N型单晶硅片，包括N层和N+层，N层靠近焊接金属A，N+层靠近焊接金属B。

所述电极引线包括铜引线和钼电极，钼电极通过银铜片与铜引线焊接连接。

所述焊接金属A为铝片。

所述铝片厚度为40μm-100μm，成分为硅∶铝＝(0～15)％。

所述焊接金属B为蒸铝层，蒸铝层厚度为6μm-16μm。

所述硅片A厚度为200μm～350μm。

本实用新型的有益效果为：二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。

附图说明

图1为本实用新型的玻璃钝化实体封装低压二极管的结构示意图；

图2为电极引线、管芯、铝片、电极引线依次竖直叠放在石墨模具中的结构示意图。

图中：1-铜引线，2-银铜片，3-钼电极，4-焊接金属A，5-硅片A，6-钝化玻璃，7-焊接金属B。

具体实施方式

下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。