[实用新型]高色彩饱和度硅基OLED微型显示器结构有效
申请号: | 202022217241.5 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN212485332U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 王光华;张杰;尹莉;周芳;高思博;段登辉;季华夏 | 申请(专利权)人: | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 张亦凡 |
地址: | 650223 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色彩 饱和度 oled 微型 显示器 结构 | ||
1.硅基OLED微型显示器,其特征在于该结构从下往上依次由硅基CMOS驱动电路基底、顶部发光多层复合阳极、蓝光有机发光层、增透层、量子点彩色过滤层、无机或高分子复合薄膜密封层以及玻璃盖片组成。
2.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于硅基CMOS驱动电路基底采用线宽为0.18µm、0.13µm、0.11µm或90nm硅基驱动电路。
3.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于发光多层复合阳极采用三层复合结构或两层复合结构,所述的三层复合结构从下往上由Cr、Al和AlN的材料组合,或Ti、Al和AlN的材料组合,或Ti、Al和TiN的材料组合中任意一种;所述的两层复合结构从下往上由Al和TiN的材料组合,或Ti和TiN的材料组合中任意一种;所述发光多层复合阳极厚度控制在40~100nm。
4.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于蓝光有机发光结构,从下往上由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和半透明阴极Mg:Ag组成。
5.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于增透层采用高折射率增透材料。
6.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于量子点彩色过滤层由高分子基体材料和平行排列在高分子基体材料上的能够发射出红光量子点层、绿光量子点层以及透明光胶层组成。
7.如权利要求1所述的硅基OLED微型显示器,其特征在于无机或高分子复合薄膜密封层由无机氧化物和派瑞林交替生产2-3周期构成,整体厚度控制在300~800nm,无机氧化物单层厚度50~100nm,派瑞林单层厚度100~500nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的