[实用新型]用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟有效
申请号: | 202022219066.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN213660362U | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 徐义兰;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 尺寸 硅片 镀膜 石墨 舟舟片 | ||
1.一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,所述石墨舟舟片上设有多个卡槽,其特征在于,每个所述卡槽的周围均设有多个用于放置硅片的卡点,所述卡点包括靠近所述卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近所述卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近所述卡槽底部设置的第三卡点;
所述第一侧部靠近管式炉炉口端,所述第二侧部靠近管式炉炉尾端;
所述石墨舟舟片设有至少两个所述第一卡点,至少一个所述第二卡点和至少一个所述第三卡点。
2.如权利要求1所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点,一个所述第二卡点和一个所述第三卡点。
3.如权利要求1所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点,一个所述第二卡点和两个所述第三卡点。
4.如权利要求2所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述第一卡点之间的距离为70~120mm;
所述第二卡点与所述卡槽第一侧部边缘之间的距离为60~90mm;
所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
5.如权利要求3所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述第一卡点之间的距离为120~180mm;
所述第二卡点之间的距离为70~100mm;
所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
6.如权利要求1~3任一项所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述卡槽为正方形,其边长为180~230mm,所述卡槽为镂空型结构。
7.如权利要求1~3任一项所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述卡点为圆形卡点,其直径为5~8mm。
8.如权利要求1~3任一项所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述石墨舟舟片的长度为1560~2200mm,其高度为190~250mm。
9.如权利要求1~3任一项所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其特征在于,所述石墨舟舟片上还设有用于插入陶瓷固定杆的固定孔,其直径为5~7mm。
10.一种石墨舟,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造