[实用新型]用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟有效
申请号: | 202022219066.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN213660362U | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 徐义兰;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 尺寸 硅片 镀膜 石墨 舟舟片 | ||
本实用新型公开了一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其设有多个卡槽;每个卡槽的周围均设有用于放置硅片的卡点,卡点包括靠近卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近卡槽底部设置的第三卡点;第一侧部靠近管式炉炉口端,第二侧部靠近管式炉炉尾端;石墨舟舟片设有至少两个第一卡点,至少一个第二卡点和至少一个第三卡点。相应的,本实用新型还公开了一种石墨舟。实施本实用新型,可有效改善大尺寸硅片的绕镀现象,提升镀膜质量。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产设备技术领域,尤其涉及一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟。
背景技术
太阳能电池片镀膜工艺目前主要使用石墨舟为载体,利用石墨舟卡点将硅片限制在石墨腔内,然后通过PECVD(等离子增强化学气相沉积)法沉积正背面膜层。随着硅片尺寸的大型化,现有的石墨舟设计不能完全使硅片贴合石墨舟叶,在气流吹力以及高温作用下,硅片翘曲严重,导致部分气体流通到硅片背面,固态薄膜沉积到背面边缘上,这就是绕镀;绕镀现象会使硅片边缘沉积的氮化硅薄膜厚度增加,从而导致背面镀膜边缘颜色与中间有差异,最终导致电池片整体膜色不均匀,影响美观性。所以需要对石墨舟进行改造优化,改善大尺寸边缘绕镀问题。
目前,改善方式主要是以下几种,(1)移动石墨舟卡点位置,使卡点分布更均匀,该方法在小尺寸M2硅片(边长尺寸156.75±0.25mm)、M3硅片(边长尺寸160.55±0.25mm)、M4硅片(边长尺寸161.75±0.5mm)上有改善效果,但在大尺寸M12硅片(边长尺寸210±0.5mm)硅片上改善效果较差;(2)增大卡点直径,以增大卡点与硅片的接触面积,这样易造成硅片上卡点印过大,影响电池片外观;(3)缩小卡点到卡槽的间距,例如将间距0.29cm缩小至0.25cm,该方法加剧插片难度,容易造成硅片划伤。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,其可有效改善大尺寸硅片的绕镀现象。
本实用新型还要解决的技术问题在于,提供一种石墨舟。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片,所述石墨舟舟片上设有多个卡槽,每个所述卡槽的周围均设有多个用于放置硅片的卡点,所述卡点包括靠近所述卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近所述卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近所述卡槽底部设置的第三卡点;
所述第一侧部靠近管式炉炉口端,所述第二侧部靠近管式炉炉尾端;
所述石墨舟舟片设有至少两个所述第一卡点,至少一个所述第二卡点和至少一个所述第三卡点。
作为上述技术方案的改进,所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点,一个所述第二卡点和一个所述第三卡点。
作为上述技术方案的改进,所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点,一个所述第二卡点和两个所述第三卡点。
作为上述技术方案的改进,所述第一卡点之间的距离为70~120mm;
所述第二卡点与所述卡槽第一侧部边缘之间的距离为60~90mm;
所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
作为上述技术方案的改进,所述第一卡点之间的距离为120~180mm;
所述第二卡点之间的距离为70~100mm;
所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
作为上述技术方案的改进,所述卡槽为正方形,其边长为180~230mm,所述卡槽为镂空型结构。
作为上述技术方案的改进,所述卡点为圆形卡点,其直径为5~8mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造