[实用新型]SDRAM存储器

权利要求书

1.一种SDRAM存储器，其特征在于，包括：

N片存储基片，N片所述存储基片自上而下垂直堆叠形成堆叠结构，n为偶数；

引线框，设置于所述堆叠结构的下方，所述引线框具有多个引脚；

灌封层，用于将所述堆叠结构及所述引线框灌封于内，所述引线框及所述存储基片的引脚延伸到所述灌封层外；

金属镀层，设置于所述灌封层表面，所述金属镀层上面设有金属刻线，所述金属刻线用于将所述金属镀层划分为多个相互独立的区域，所述金属镀层用于所述引脚之间的电性连接；

铜带，设置于所述存储基片上，所述铜带用于同一所述存储基片的引脚之间的电性连接或者所述存储基片与所述金属镀层之间的电性连接；

其中，自下而上数前N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，后N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，第奇数片所述存储基片的片选引脚互相电性连接，第偶数片所述存储基片的片选引脚互相电性连接，N片所述存储基片的数据总线引脚、地址引脚、时钟引脚、控制引脚、电源引脚及地引脚分别对应电性连接。

2.根据权利要求1所述的SDRAM存储器，其特征在于，第1所述存储基片的片选引脚通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，第奇数片所述存储基片的片选引脚分别通过若干所述铜带引至所述灌封层的侧表面，并通过所述金属镀层相互电性连接。

3.根据权利要求1所述的SDRAM存储器，其特征在于，第偶数片所述存储基片的片选信号分别通过若干铜带与各自的第1空引脚电性连接，第偶数片所述存储基片的第1空引脚还通过所述金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接。

4.根据权利要求1所述的SDRAM存储器，其特征在于，前N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别通过金属镀层或若干铜带与各自的第2至第2+n+1空引脚电性连接，前N/2片所述存储基片的第2至第2+n+1空引脚分别通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，n为所述存储基片的数据引脚的个数。

5.根据权利要求1所述的SDRAM存储器，其特征在于，后N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别通过金属镀层或若干铜带与各自的第2至第2+n+1空引脚电性连接，后N/2片所述存储基片的第2至第2+n+1空引脚分别通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，n为所述存储基片的数据引脚的个数。