[实用新型]SDRAM存储器

说明书

本实用新型公开了一种SDRAM存储器，包括：自上而下堆叠的N片存储基片、引线框、灌封层、金属镀层及铜带。其中，自下而上数前N/2片存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，后N/2片存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，第奇数片存储基片的片选引脚电性连接，第偶数片所述存储基片的片选引脚电性连接，N片存储基片的数据总线引脚、地址引脚、时钟引脚、控制引脚、电源引脚及地引脚分别对应电性连接。根据上述技术方案的SDRAM存储器，存储基片的引脚可以通过金属镀层及铜带实现电性连接，无需进行PCB板走线设计，降低设计成本。

技术领域

本实用新型涉及存储器领域，特别涉及一种SDRAM存储器。

背景技术

存储器作为一种用于存取数据的器件，广泛应用于各个领域中。现有的存储器扩容往往将多个存储基片设置于一块PCB板上，再在PCB板上走线将各基片的引脚并联或单独引出，走线复杂且设计成本高。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种SDRAM存储器，采用立体封装的结构，多个存储基片垂直堆叠，并可以通过金属镀层及铜带电性连接，降低设计难度。

根据本实用新型的实施例的SDRAM存储器，包括：N片存储基片，N片所述存储基片自上而下垂直堆叠形成堆叠结构，n为偶数；引线框，设置于所述堆叠结构的下方，所述引线框具有多个引脚；灌封层，用于将所述堆叠结构及所述引线框灌封于内，所述引线框及所述存储基片的引脚延伸到所述灌封层外；金属镀层，设置于所述灌封层表面，所述金属镀层上面设有金属刻线，所述金属刻线用于将所述金属镀层划分为多个相互独立的区域，所述金属镀层用于所述引脚之间的电性连接；铜带，设置于所述存储基片上，所述铜带用于同一所述存储基片的引脚之间的电性连接或者所述存储基片与所述金属镀层之间的电性连接；其中，自下而上数前N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，后N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别对应电性连接，第奇数片所述存储基片的片选引脚互相电性连接，第偶数片所述存储基片的片选引脚互相电性连接，N片所述存储基片的数据总线引脚、地址引脚、时钟引脚、控制引脚、电源引脚及地引脚分别对应电性连接。

根据本实用新型实施例的SDRAM存储器，至少具有如下有益效果：N片存储基片垂直堆叠，由于多数存储基片的引脚需要对应并联，垂直堆叠可以使对应的引脚位于同一纵例上，方便通过金属镀层及刻线划分到同一区域实现电性连接，存储基片上需要单独引出的引脚则可以通过铜带引到基片的空引脚上或者引到金属镀层的侧面处与对应引脚对应并联。可以避免通过PCB板上复杂的走线来实现存储基片的引脚互联，降低设计成本。

根据本实用新型的一些实施例，第1所述存储基片的片选引脚通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，第奇数片所述存储基片的片选引脚分别通过若干所述铜带引至所述灌封层的侧表面，并通过所述金属镀层相互电性连接。

根据本实用新型的一些实施例，第偶数片所述存储基片的片选信号分别通过若干铜带与各自的第1空引脚电性连接，第偶数片所述存储基片的第1空引脚还通过所述金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接。

根据本实用新型的一些实施例，前N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别通过金属镀层或若干铜带与各自的第2至第2+n+1空引脚电性连接，前N/2片所述存储基片的第2至第2+n+1空引脚分别通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，n为所述存储基片的数据引脚的个数。

根据本实用新型的一些实施例，后N/2片所述存储基片的数据引脚与数据掩码引脚分别通过金属镀层或若干铜带与各自的第2至第2+n+1空引脚电性连接，后N/2片所述存储基片的第2至第2+n+1空引脚分别通过金属镀层与所述引线框上的对应引脚电性连接，n为所述存储基片的数据引脚的个数。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明