[实用新型]一种射频滤波器

说明书

本实用新型提供一种射频滤波器，射频滤波器包括：衬底、上电极层、下电极层、加热层和氮化镓层；所述衬底包括通孔区；所述下电极层设置于所述衬底的一侧；所述加热层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧，所述下电极层和所述加热层在所述通孔区相接触；所述氮化镓层设置于所述加热层远离所述衬底的一侧；所述上电极层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧。本实用新型提供的射频滤波器的工作性能不受环境温度的影响，可以在超低温度下正常工作。

技术领域

本实用新型涉及通信器件技术领域，尤其涉及一种射频滤波器。

背景技术

体声波(BAW，Bulk Acoustic Wave)射频滤波器在通信领域有着重要的作用，相比于传统的滤波器，体声波射频滤波器具有低损耗和高隔离的特性。

然而，BAW射频滤波器在超低温度下频率温度系数会增大，BAW射频滤波器的频率随温度变化而发生变化，最终会导致BAW射频滤波器不能正常工作。

实用新型内容

本实用新型提供了一种射频滤波器，本实用新型提供的射频滤波器的工作性能不受环境温度的影响，可以在超低温度下正常工作。

本实用新型提供一种射频滤波器，包括：衬底、上电极层、下电极层、加热层和氮化镓层；所述衬底包括通孔区；所述下电极层设置于所述衬底的一侧；

所述加热层设置于所述衬底远离所述下电极层的一侧，所述下电极层和所述加热层在所述通孔区相接触；所述氮化镓层设置于所述加热层远离所述衬底的一侧；所述上电极层设置于所述氮化镓层远离所述衬底的一侧。

可选的，本实用新型提供的射频滤波器还包括：第一加热电极和第二加热电极；所述第一加热电极和所述第二加热电极位于所述加热层远离所述衬底的表面，且所述第一加热电极和所述第二加热电极与所述氮化镓层不接触。

可选的，所述第一加热电极和所述第二加热电极位于所述加热层相对的两侧。

可选的，所述衬底的材料包括硅、氮化镓或蓝宝石。

可选的，所述加热层的厚度为5～100纳米。

本实施例提供的射频滤波器通过设置加热层，在极低的工作环境中可以通过向加热层施加外加电压可以使得加热层温度升高，从而使射频滤波器内部温度升高，确保射频滤波器具有超低的频率温度系数，从而保证射频滤波器在低温环境下性能稳定，可以正常工作。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种射频滤波器的剖面结构示意图；

图2为本实用新型提供一种射频滤波器的制作方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型实施例，而非对本实用新型实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型实施例相关的部分而非全部结构。

实施例一

本实施例提供一种射频滤波器，图1是本实用新型提供的一种射频滤波器的剖面结构示意图，参考图1，本实施例提供的射频滤波器包括：衬底110、上电极层120、下电极层130、加热层140和氮化镓层150；衬底110包括通孔区；下电极层130设置于衬底110的一侧；加热层140设置于衬底110远离下电极层130的一侧，下电极层130和加热层140在通孔区相接触；氮化镓层150设置于加热层140远离衬底110的一侧；上电极层120设置于氮化镓层150远离衬底110的一侧。

具体的，上电极层120和下电极层130用于输入电信号，通过向上电极层120和下电极层130输入电信号，使射频滤波器工作。加热层140用于产热，提升射频滤波器的整体温度。