[实用新型]一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置

说明书

本实用新型涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，粘结台包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓；粘结装置包括粘结台和粘结模板。本实用新型的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，结构简单、操作方便，且可以在一台粘接多根晶体。

技术领域

本实用新型属于半导体材料设备技术领域，特别涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。

背景技术

砷化镓(GaAs)是目前III—V族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。GaAs目前已经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于移动通讯，光纤通讯，汽车电子，卫星通讯和全球定位系统等领域。

水平砷化镓单晶采用多线切割机进行切片，切割开始前，需要将单晶粘接在多线切割机的工作台模板上，通过模板将砷化镓单晶固定到多线切割机上进行切片，并通过模板与多线的相对运动完成切片，为了保证晶片晶向的准确性，要求多线的运动平面与单晶晶向基准面平行，这就要求单晶固定在模板上时，晶向不能有偏差，如果出现偏差，所切晶片的晶向与晶向基准面的晶向不同，造成晶片的晶向不合格。

但是，目前水平砷化镓单晶多线切割前的粘接装置结构较繁琐，操作较麻烦且耐磨性差。

实用新型内容

本实用新型的目的是为解决以上问题，本实用新型提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。

根据本实用新型的一个方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台，包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。

其中，校准孔的个数为8个，平均分为两组设置于第一导槽台的两侧。

其中，第一导槽和第二导槽等宽，第一导槽台和第二导槽台固定连接时，第一导槽和第二导槽在导槽宽度方向对齐。

其中，第一导槽台和第二导槽台均为龙门矩形结构，第一导槽台的长度为 500-700mm，宽度为200-400mm，高度为50-70mm；第二导槽台的长度为 200-400mm，宽度为150-250mm，高度为10-30mm。

其中，第一导槽台的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。

根据本实用新型的第二方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结装置，包括上述水平砷化镓单晶切片用粘结台、光源和模板，模板位于由第一导槽和第二导槽合并的整体导槽中，并且其底面与槽底贴合定位，其与多个校准孔相背的侧面与所对的整体导槽的内槽壁贴合定位，其与多个校准孔相对的侧面通过校准螺栓锁紧定位，光源设置于水平砷化镓单晶切片用粘结台的上方。

其中，水平砷化镓单晶切片用粘结装置还包括多个支撑板，多个支撑板设置于模板的表面，并沿第一导槽的延伸方向间隔设置。

本实用新型的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，具备以下有益效果：

1、确保切割的晶片的晶向与晶向基准面的晶向相同，且误差在1分以内。

2、结构简单、操作方便，提高生产效率。