[实用新型]一种高功率芯片有效
| 申请号： | 202022276679.0 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN213042740U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 唐宁;陈乔 | 申请（专利权）人： | 昆山昊盛泰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C1/14 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率芯片，其特征在于：包括压敏电阻瓷体和设置在所述压敏电阻瓷体表面上的复合铜电极，所述复合铜电极包括第一铜电极，其设置在所述压敏电阻瓷体的表面，与所述压敏电阻瓷体的表面直接接触，第二铜镀层，其设置在所述第一铜电极的表面，所述第二铜镀层厚度在2-5微米。
2.根据权利要求1所述的高功率芯片，其特征在于：所述第一铜电极厚度为6-9微米，所述第二铜镀层厚度为6-9微米。
3.根据权利要求1所述的高功率芯片，其特征在于：还包括保护盒，所述保护盒内垫有棉垫，所述高功率芯片放置在棉垫上。
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