[实用新型]一种新型半导体硅片割圆设备有效
申请号: | 202022292771.6 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN213945221U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 颜伟雄 | 申请(专利权)人: | 晶智(上海)光学仪器设备有限公司 |
主分类号: | B23K7/00 | 分类号: | B23K7/00;B23K7/10 |
代理公司: | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人: | 杨克 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 半导体 硅片 设备 | ||
本实用新型公开了一种新型半导体硅片割圆设备,其结构包括:割圆中心座、半径杆、连杆、升降座、立柱、底座、割炬、工作台,割圆中心座与连杆进行活动卡合,半径杆通过间隙配合安装在连杆,升降座通过活动卡合安装在立柱,立柱通过螺栓连接在底座上方,割炬通过间隙配合安装在半径杆,工作台与底座进行螺栓连接,本实用新型通过半导体硅片割圆设备设有工作台,从而将工件放置在工作台的台面上,再通过剪叉对工件与割炬之间的距离进行调整,当调整至适当位置时,对剪叉固定,能够更精确的掌控割炬与工件表面的距离,避免由于距离的过高或过低,所造成的工件上边缘塌边、割缝上窄下宽,成喇叭状、切割断面凹陷等等问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,具体的是一种新型半导体硅片割圆设备。
背景技术
一种新型半导体硅片割圆设备是通过割圆设备对半导体硅片进行割圆,但现有技术中,由于割圆设备无设置工作台,导致无法精确的掌控割炬与工件表面的距离,距离的过高或过低会使得工件上边缘塌边、割缝上窄下宽,成喇叭状、切割断面凹陷等等问题的存在。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供一种新型半导体硅片割圆设备。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种新型半导体硅片割圆设备,其结构包括:割圆中心座、半径杆、连杆、升降座、立柱、底座、割炬、工作台,所述割圆中心座与连杆进行活动卡合,所述半径杆通过间隙配合安装在连杆,所述升降座通过活动卡合安装在立柱,所述立柱通过螺栓连接在底座上方,所述割炬通过间隙配合安装在半径杆,所述工作台与底座进行螺栓连接。
更进一步的,所述工作台包括剪叉、支架、台面、调节轴、基座、伸缩杆,所述剪叉通过活动卡合安装在支架,所述支架通过螺栓连接在基座,所述台面与支架进行螺栓连接,所述调节轴通过间隙配合安装在伸缩杆,所述基座通过螺栓连接在底座,所述伸缩杆通过活动卡合在支架。
更进一步的,所述割圆中心座与割炬平行,所述半径杆垂直于割圆中心座和割炬,所述半径杆与升降座相互平行,所述连杆与立柱相互平行,所述工作台位于割炬正下方。
更进一步的所述台面位于剪叉上方,所述支架通过剪叉对称,所述调节轴与伸缩杆相互垂直,所述调节轴位于剪叉中间。
有益效果
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型通过半导体硅片割圆设备设有工作台,从而将工件放置在工作台的台面上,再通过剪叉对工件与割炬之间的距离进行调整,当调整至适当位置时,对剪叉固定,能够更精确的掌控割炬与工件表面的距离,避免由于距离的过高或过低,所造成的工件上边缘塌边、割缝上窄下宽,成喇叭状、切割断面凹陷等等问题。
附图说明
图1为本实用新型一种新型半导体硅片割圆设备的结构示意图。
图2为本实用新型一种工作台的正视横截面结构示意图。
图3为本实用新型一种工作台的侧视横截面结构示意图。
图中:割圆中心座-1、半径杆-2、连杆-3、升降座-4、立柱-5、底座-6、割炬-7、工作台-8、剪叉-81、支架-82、台面-83、调节轴-84、基座-85、伸缩杆-86
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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