[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 202022294595.X | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN212874475U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩;A·马扎基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有正面、第一区域和第二区域；
其中，所述半导体衬底的所述第一区域包括被形成在第一沟槽中的掩埋晶体管的竖直栅极，所述第一沟槽竖直延伸到所述半导体衬底中，相对于所述正面下到第一深度；以及
其中，所述半导体衬底的所述第二区域包括被形成在第二沟槽中的电容元件的竖直电极，所述第二沟槽竖直延伸到所述半导体衬底中，相对于所述正面下到第二深度；
其中，所述第二深度比所述第一深度浅。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：过渡沟槽，在所述过渡沟槽的一侧上界定所述第一区域，并且在所述过渡沟槽的另一侧上界定所述第二区域，其中，所述过渡沟槽的底部相对于所述过渡沟槽的中间平面是不对称的，并且所述过渡沟槽的底部被定位在所述一侧与所述另一侧之间。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一区域包括非易失性存储器，并且所述第二区域包括逻辑部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
