[实用新型]一种半导体器件测试电路有效
| 申请号： | 202022300118.X | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN213546268U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 许小靓;蔡文必;廖金昌;鲁华城 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/20;H01L29/772 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;吴晓梅 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 测试 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件测试电路，其特征在于：包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路包括熔断丝，该漏极具有一与该漏极电性连接的引接端，该熔断丝的一端与该引接端电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该引接端、电性接点形成空气桥结构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该熔断丝与其下方的材料层之间的间隔大于4μm。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该熔断丝的厚度在1-4μm，长度与宽度比大于10。
4.根据权利要求3所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该熔断丝为金材质制成。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该引接端为金材质制成。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该引接端宽度与熔断丝宽度比大于20。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的一种半导体器件测试电路，其特征在于：该半导体器件为氮化镓器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
