[实用新型]一种半导体器件测试电路

说明书

本实用新型公开了一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路与该漏极串接，该熔断支路包括熔断丝，该熔断丝的一端与该漏极电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该漏极、电性接点形成空气桥结构。它具有如下优点：熔断速度快、制作简单、成本低。

技术领域

本实用新型涉及测试电路，尤其涉及一种半导体器件测试电路。

背景技术

氮化镓芯片基于材料的耐电压特性，通常应用于高电压使用条件中。器件的高温反偏可靠性实验为在器件漏极上持续施加高电压，用于评估器件的耐高压稳定性。若器件仍处于工艺开发阶段，本身存在缺陷，当高温反偏实验进行到一定时间后，器件肖特基结出现退化，栅控能力变弱，栅极失去对器件电流的控制，有源区将出现很大的电流，导致漏-源短路，从而出现严重的热烧毁，无法进行有效的分析进而改进工艺。

因此，当前技术存在如下缺点：

1)器件因大电流发生热烧毁后会将失效点的材料严重烧熔，导致实验后的失效分析难以查找到器件异常点，无法准确判断失效机理改进器件工艺流程。

2)器件在短路的瞬间会存在高电压及大电流，实验设备可能无法及时进行限流，过大的功率将会导致设备损坏。

3)为了防止器件因过大电流发生严重烧毁现象，需要增加过电流保护装置。而外加保险丝等装置需要反应速度快的高规格型号，且只能使用一次，成本过高。

实用新型内容

本实用新型提供了一种半导体器件测试电路，其克服了背景技术中所述的现有技术的不足。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路包括熔断丝，该漏极具有一与该漏极电性连接的引接端，该熔断丝的一端与该漏极引接端电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该引接端、电性接点形成空气桥结构。

一实施例之中：该熔断丝与其下方的材料层之间的间隔大于4μm。

一实施例之中：该熔断丝的厚度在1-4μm，长度与宽度比大于10。

一实施例之中：该熔断丝为金材质制成。

一实施例之中：该引接端为金材质制成。

一实施例之中：该引接端宽度与熔断丝宽度比大于20。

一实施例之中：该半导体器件为氮化镓器件。

本技术方案与背景技术相比，它具有如下优点：

高温反偏可靠性实验时，通过电性接点经熔断支路给半导体器件的漏极加压，当器件退化出现大电流时，熔断支路首先熔断，从而保护器件不受损坏，器件的漏极引接端仍然可作为电性测量点，可令器件在出现异常后仍可进行后续电性量测及失效分析，从而为工艺改进提供参考。因熔断支路采用空气桥结构，熔断丝未与下方材料层接触，导热慢，因大电流而产生的热量无法快速传导，加快熔断丝发生熔断。因此，本案熔断支路熔断速度快，满足测试要求，且结构简单，制作成本低。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1为一种半导体器件测试电路的结构示意图之一；

图2为一种半导体器件测试电路的结构示意图之二；

图3为熔断丝的连接示意图之一；

图4为熔断丝的连接示意图之二。

具体实施方式