[实用新型]一种用于单芯片压接IGBT器件功率循环测试夹具有效

专利信息
申请号: 202022313161.X 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN216051812U 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 安彤;李泽峥;秦飞;陈晓萱;田延忠 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01R1/04 分类号: G01R1/04
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 芯片 igbt 器件 功率 循环 测试 夹具
【说明书】:

一种用于单芯片压接IGBT器件功率循环测试夹具涉及压接型IGBT器件测试领域,一种用于单芯片压接IGBT器件功率循环测试夹具,其特征在于,所述夹具包括均压组件、压力测量组件、第一绝缘板、第一铜排、第一水冷散热器组件、第二水冷散热器组件、第二铜排、第二绝缘板、位移补偿组件;所述均压组件包括绝缘顶压导杆、顶压板、均压钢球、均压座;所述位移补偿组件包括碟簧导杆、碟形弹簧、碟簧垫片、底板。本实用新型提供的装配结构更稳定,装配更简单,压力分布均匀,可实时显示压力大小,散热性能更好,控温精度更高的夹具。

技术领域

本实用新型涉及压接型IGBT器件测试领域,具体涉及一种用于单芯片压接IGBT器件功率循环测试夹具。

背景技术

压接型IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件具备高功率密度,高可靠性等特点,是理想的大功率半导体开关器件。现已广泛应用到轻型交直流输电、大型工业驱动、能源等高端装备行业。

压接型IGBT器件在使用中自身会产生大量的热量,集电极铜受热发生翘曲,变形引起压接型IGBT压力分布不均,热阻继而增大,使得芯片结温上升,最终导致芯片性能降级或失效。目前,测试用单芯片压接型IGBT器件夹具的散热模块仅能给予压接型IGBT器件一定的散热,并不能确定器件电极表面温度。同时,功率循环测试中压接型IGBT器件所受压力未知,并不能根据测试条件调节。夹具整体结构稳定性差且装配复杂。

鉴于以上背景,需提供一种结构更稳定,装配更简单,散热性能佳,电极表面温度可调,压力分布更均匀,同时能够根据测试调节改变压力大小的压接型IGBT器件夹具

发明内容

为了改善上述问题,本实用新型提供了一种用于单个压接型IGBT器件功率循环测试的装配结构更稳定,装配更简单,压力分布均匀,可实时显示压力大小,散热性能更好,控温精度更高的夹具。

一种用于单芯片压接IGBT器件功率循环测试夹具,其特征在于,所述夹具包括均压组件、压力测量组件、第一绝缘板、第一铜排、第一水冷散热器组件、第二水冷散热器组件、第二铜排、第二绝缘板、位移补偿组件;

所述均压组件包括绝缘顶压导杆、顶压板、均压钢球、均压座;所述位移补偿组件包括碟簧导杆、碟形弹簧、碟簧垫片、底板;

所述均压钢球上表面与顶压板下表面球形凹槽接触,所述均压钢球下表面与均压座上表面球形凹槽接触;所述平面膜盒式压力传感器上表面与均压座下表面接触;所述平面膜盒式压力传感器下表面与压力传感器定位片接触;所述第一绝缘板上表面与压力传感器定位片下表面接触;所述第一绝缘板下表面与第一铜排上表面接触;所述水冷散热器上表面与第一铜排下表面接触;所述水冷散热器下表面与压接型IGBT器件上表面接触,;所述压接型IGBT器件下表面与水冷散热器上表面接触;所述水冷散热器下表面与第二铜排上表面接触;所述第二绝缘板上表面与第二铜排下表面接触;所述碟形弹簧导杆上表面与第二绝缘板下表面接触;所述碟形弹簧、碟簧垫片与碟形弹簧导杆同心装配,所述碟簧垫片下表面与底板上表面接触;所述碟形弹簧导杆下半部分置于底板通孔内。

所述顶压板下表面设有球形凹槽,半径与钢球相同,凹槽深度略小于钢球半径;所述顶压板四角设有圆形通孔。

所述均压座上表面设有球形凹槽,半径与钢球相同,凹槽深度略小于钢球半径;所述均压座下表面中心设有定位孔;所述均压座外缘设有沉头螺纹孔。

所述均压钢球设置于顶压板和均压座之间,球面与顶压板和均压座完全接触。

所述绝缘顶压导杆两端设置有外螺纹;所述绝缘顶压导杆底部与底板通过螺纹连接;所述绝缘顶压导杆通过顶压板圆形通孔,采用六角螺栓固定。

进一步,所述绝缘顶压导杆采用玻璃纤维增强塑料材料。

优选的,所述压力测量组件包括高精度平面膜盒式压力传感器和压力传感器定位片。

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