[实用新型]一种扩散炉净化台净化系统有效
申请号: | 202022319475.0 | 申请日: | 2020-10-17 |
公开(公告)号: | CN213242498U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 刘群;庞爱锁;林佳继;郭永胜;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 净化 净化系统 | ||
一种扩散炉净化台净化系统,包括净化台框架和净化装置,所述净化装置包括空气过滤净化器、风机以及进风口构成;所述空气过滤净化器、风机以及进风口设置于净化台框架的上方;本实用新型通过设置空气过滤净化器对进入搬舟结构的气体进行净化,其一能够有效防止空气中过得灰尘等杂质对硅片的生产工艺产生影响,其二能够提高硅片的散热效率,且本实用新型通过将气流的导入口和到出口分别设置于空气过滤净化器的侧面以及风口的侧面,有效防止灰尘等杂质顺着导入口或导出口进入搬舟结构的内部。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造设备领域,尤其涉及一种扩散炉净化台净化系统。
背景技术
扩散炉作为半导体器件工艺设备的重要设备之一,广泛应用于集成电路、电力电子、太阳能电池的生产等行业,在光伏行业,高温扩散炉主要用于对单晶硅片、多晶硅片进行掺杂,形成PN结。随着光伏行业的发展,人们一直在追求产能的提升。而在制作工艺过程中,会有许多热处理的工序,如热氧化、化学气相沉积(CVD)、热扩散、金属合金化、杂质激活、介质膜致密化等。这些热处理工艺对温度非常敏感,尤其是在半导体器件制备中,温度是影响硅晶圆成膜均匀性及生长速度的关键参数。
通常,硅片装载在石英晶体内,通过搬舟机构送入炉管内,反应结束后通过搬出炉管。半导体器件的热处理工艺过程中,搬舟机构在搬进搬出硅片的时候产生大量热。除了炉体内的冷却装置,炉体外也需要一套完整的冷却体系支持整个工艺流程的运作。传统的散热方式仅设置系统出风口来进行排热,这样热量一部分从系统出风口排出,但绝大部分热仍然积蓄在系统内部,不仅影响生产效率,而且这些热量还有可能对装置本身造成损害,且影响设备性能与寿命。因此,如何提高内部散热效果,确保设备能够长期稳定工作,并满足快速净化与降温工艺的需求,研发出性价比高的炉体外部净化系统,是亟待解决的技术问题。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题克服现有技术的不足,提供一种结构简单、可净化扩散炉搬舟部分气体的净化系统。
本实用新型采用以下技术方案:
一种扩散炉净化台净化系统,包括净化台框架和净化装置,所述净化装置包括空气过滤净化器、风机以及进风口构成;所述空气过滤净化器、风机以及进风口设置于净化台框架的上方。
进一步的,所述空气过滤净化器至少为一个;空气过滤净化器通过气管道结构与净化台框架的内部空间实现联通。
进一步的,所述空气过滤净化器采用空气滤芯净化。
进一步的,所述空气过滤净化器设置为两组,分别为第一空气过滤净化器和第二空气过滤净化器,所述第一空气过滤净化器和第二空气过滤净化器分别设置于净化台框架顶部的相邻顶角上。
进一步的,所述进风口设置为两组,分别为第一进风口和第二进风口,进风口设置为净化台框架内部的气体吸入口。
进一步的,所述空气过滤净化器设置为直四棱柱形,在空气过滤净化器相对的两个侧面上设置有圆柱形的开口,并向外侧延伸,作为气流的导入口。
进一步的,所述进风口的侧面设置有气流的导出口。
采用本实用新型的有益效果在于:
本实用新型通过设置空气过滤净化器对进入净化台框架的气体进行净化,其一能够有效防止空气中过得灰尘等杂质对硅片的生产工艺产生影响,其二能够提高硅片的散热效率。
与现有技术相比,本实用新型在净化台框架顶部加装净化系统,在实现净化功能的同时还能大大降低了设备工作时净化台内部温度,使得温度不至于过高而影响设备的正常工作。
本实用新型通过将气流的导入口和到出口分别设置于空气过滤净化器的侧面以及进风口的侧面,有效防止灰尘等杂质顺着导入口或导出口进入净化台框架的内部。
附图说明
图1为本实用新型的整体系统图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造