[实用新型]电池片防衰减表面处理臭氧浓度实时监测装置有效
申请号: | 202022346828.6 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN212907673U | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 沈晓 | 申请(专利权)人: | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213161 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 衰减 表面 处理 臭氧 浓度 实时 监测 装置 | ||
本实用新型涉及一种电池片防衰减表面处理臭氧浓度实时监测装置,设在太阳能电池片防衰减表面处理装置的箱体旁侧,所述的箱体从下至上包括密封连接的进气室、反应室以及排气室,所述监测装置具有用于检测臭氧浓度的检测仪,检测仪的出口端与所述反应室侧壁管路连接,检测仪的进口端管路连接有抽气泵,抽气泵进气端与反应室侧壁管路连接。本实用新型通过抽气泵将反应室内的少量气体抽出,至检测仪进行臭氧浓度检测,以判断臭氧浓度是否在设定值之上,一旦报警提示臭氧浓度低于设定值,则可及时调节臭氧发生器输出量,确保电池片防衰减表面处理效果。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片技术领域,尤其是一种电池片防衰减表面处理臭氧浓度实时监测装置。
背景技术
太阳能组件运营时,经常会出现组件功率衰减较大现象,这种现象大多是由于电池片的光致衰减引起的。因此在电池片制作工艺中,一般通过向反应室内通入臭氧气体,利用臭氧与硅之间的反应,在电池片表面生成一层氧化硅保护层,以有效防止电池片使用过程中的光致衰减所引起的组件功率衰减现象,提高了太阳电池的性能。
现有的电池片防衰减表面处理过程中,如果臭氧浓度出现异常,电池片表面处理工艺就会出现异常,并且在工艺结束前也无法发现问题,只能在工艺结束后通过表面亲水性测试排查发现问题,影响电池片防衰减表面处理的效果。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术中之不足,本实用新型提供一种在电池片防衰减表面处理时可实时监测臭氧浓度值的臭氧浓度实时监测装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种电池片防衰减表面处理臭氧浓度实时监测装置,设在太阳能电池片防衰减表面处理装置的箱体旁侧,所述的箱体从下至上包括密封连接的进气室、反应室以及排气室,所述监测装置具有用于检测臭氧浓度的检测仪,检测仪的出口端与所述反应室侧壁管路连接,检测仪的进口端管路连接有抽气泵,抽气泵进气端与反应室侧壁管路连接。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过抽气泵将反应室内的少量气体抽出,至检测仪进行臭氧浓度检测,以判断臭氧浓度是否在设定值之上,一旦报警提示臭氧浓度低于设定值,则可及时调节臭氧发生器输出量,确保电池片防衰减表面处理效果。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中:1.进气室2.反应室3.排气室4.检测仪5.抽气泵。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种电池片防衰减表面处理臭氧浓度实时监测装置,设在太阳能电池片防衰减表面处理装置的箱体旁侧,所述的箱体从下至上包括密封连接的进气室1、反应室2以及排气室3,待处理的电池片放置于反应室2内,反应室2前后两面均安装有可开闭的门,电池片通过前门可放置于反应室2内与臭氧反应,处理好的电池片从后门搬运走。
所述监测装置具有用于检测臭氧浓度的检测仪4,所述检测仪4的型号为SA-8000型臭氧浓度分析仪,检测仪4的出口端与所述反应室2侧壁管路连接,检测仪4的进口端管路连接有抽气泵5,抽气泵5进气端与反应室2侧壁管路连接。
进行防衰减表面处理时,打开反应室2前门,将需处理的电池片放入反应室2内,关好反应室2的前后门,将管路上的各蝶阀关闭,通过风机启动臭氧发生器工作,产生的臭氧进入反应室2内,臭氧中的氧与电池片中的硅元素反应,在电池片表面生成具有保护作用的氧化硅层。在此过程中,设定反应室2内的臭氧浓度值为200ppm,可实时通过抽气泵5将反应室2内的少量气体抽出,至检测仪4进行臭氧浓度检测,检测完后的气体再由抽气泵5送回反应室2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造