[实用新型]一种耐基板翘曲的倒装LED芯片有效
申请号: | 202022351279.1 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN213340410U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 仇美懿;李进 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐基板翘曲 倒装 led 芯片 | ||
1.一种耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构;
所述发光结构设于所述衬底的正面,所述一次电极结构设于所述发光结构上,所述钝化层设于所述一次电极结构上,所述二次电极结构设于所述钝化层上;所述二次电极结构贯穿所述钝化层与所述一次电极结构连接;
所述应力缓冲层设于所述衬底的背面。
2.如权利要求1所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述应力缓冲层由AlN或BN制成,其厚度为0.3~6μm。
3.如权利要求1或2所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述二次电极结构包括依次设于所述钝化层上的连接层、阻挡层、弹性层和粘附层。
4.如权利要求3所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述连接层由Cr或Ti制成,其厚度为2~50nm。
5.如权利要求3所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层,所述第二阻挡层由Ni制成,所述第一阻挡层和第三阻挡层由Au、Pt、Ti中的一种制成。
6.如权利要求5所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的厚度为100~500nm,所述第二阻挡层的厚度为50~200nm。
7.如权利要求3所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述阻挡层依次包括Au层、Ni层和Au层;或
所述阻挡层依次包括Ti层、Ni层和Ti层;或
所述阻挡层依次包括Au层、Ni层和Pt层。
8.如权利要求3所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述弹性层为一层AuSn合金层;或
所述弹性层包括多层Au层、Sn层和AuSn合金层;
所述弹性层的厚度≥2.5μm。
9.如权利要求3所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述粘附层由Au或Pt制成,其厚度为10~100nm。
10.如权利要求1所述的耐基板翘曲的倒装LED芯片,其特征在于,所述衬底为蓝宝石,所述二次电极结构平行于所述衬底的易轴方向。
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